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• 苏州纳米技术与纳米... [12]

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• OAI收割 [12]

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• 期刊论文 [12]

发表日期

• 2016 [2]
• 2015 [3]
• 2014 [2]
• 2013 [2]
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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Study of optical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 674 作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞) 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2017/03/11 The electrical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436 作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/03/11 Progress in bulk GaN growth 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 16 作者:  Xu, K(徐科);  Wang, JF(王建峰);  Ren, GQ(任国强) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/12/31 nitride semiconductor  bulk GaN  hydride vapor phase epitaxy (HVPE)  dislocation   Effect of carbon types on the generation and morphology of GaN polycrystals grown using the Na flux method 期刊论文  OAI收割 CRYSTENGCOMM, 2015, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 7 作者:  Liu, ZL（刘宗亮）;  Ren, GQ（任国强）;  Shi, L（石林）;  Su, XJ（苏旭军）;  Wang, JF（王建峰） 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/12/31 Evolution of the surface morphology of AlN epitaxial film by HVPE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 100-104 作者:  Gong, XJ(弓晓晶);  Xu, K(徐科);  Huang, J(黄俊);  Liu, T;  Ren, GQ(任国强) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2015/01/16 Surface morphology  AlN  AFM  HVPE   Charge transport mechanisms of graphene/semiconductor Schottky barriers: A theoretical and experimental study 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 1 作者:  Xu, GZ (徐耿钊);  Fan, YM (樊英民);  Wang, JF (王建峰);  Yang, H (杨辉);  Ren, GQ (任国强) 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2015/01/05 GRAPHITE  FILMS  DEVICES   Charge transport mechanisms of graphene/semiconductor Schottky barriers: A theoretical and experimental study 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 1 作者:  Ren, GQ (任国强);  Xu, GZ (徐耿钊);  Xu, K (徐科);  Zhong, HJ (钟海舰);  Shi, L (石林) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/01/05 GRAPHITE  FILMS  DEVICES   Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 372, 期号: 0, 页码: 43-48 作者:  Ren, GQ(任国强);  Xu, K(徐科);  Su, XJ(苏旭军);  Yang, H(杨辉);  Zhou, TF(周桃飞) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2014/01/12 Defects  Etching  Hydride vapor phase epitaxy  Nitrides   Shock-induced brittle cracking in HVPE-GaN processed by laser lift-off techniques 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 46, 期号: 20 作者:  Ren, GQ(任国强);  Xu, Y(徐俞);  Yang, H(杨辉);  Wang, JF(王建峰);  Xu, K(徐科) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2014/01/15 VAPOR-PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  RAMAN-SCATTERING  ORGANIC-SOLIDS  GROWTH  ABLATION  FEMTOSECOND  LAYERS   Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 22 作者:  Fan, YM (樊英民);  Yang, H (杨辉);  Huang, J (黄俊);  Gong, XJ (弓晓晶);  Xu, K (徐科) 收藏  |  浏览/下载：130/0  |  提交时间：2012/08/24 BERKOVICH NANOINDENTATION  THIN-FILMS  INDENTATION  MECHANISMS  EPILAYERS