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	Electrode structure of semiconductor laser diode 专利 OAI收割专利号: JP1986001083A, 申请日期: 1986-01-07, 公开日期: 1986-01-07 作者: SAITOU KATSUTOSHI; MIZUISHI KENICHI; SATOU HITOSHI; YAMASHITA SHIGEO \| 收藏 \| 浏览/下载：9/0 \| 提交时间：2019/12/31
	Submount for optical semiconductor element 专利 OAI收割专利号: JP1985074539A, 申请日期: 1985-04-26, 公开日期: 1985-04-26 作者: SAITOU KATSUTOSHI; TOKUDA MASAHIDE; IMAI KUNINORI; MIZUISHI KENICHI; CHIBA KATSUAKI \| 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2020/01/18
	Structure of submount for photo semiconductor element 专利 OAI收割专利号: JP1984167038A, 申请日期: 1984-09-20, 公开日期: 1984-09-20 作者: SAITOU KATSUTOSHI; TOKUDA MASAHIDE; ONOZATO AKIMASA; IMAI KUNINORI; KOBAYASHI MASAMICHI \| 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2020/01/18
	Ohmic electrode forming method in compound semiconductor 专利 OAI收割专利号: JP1984107510A, 申请日期: 1984-06-21, 公开日期: 1984-06-21 作者: MORI MITSUHIRO; MORI TAKAO; HIRAO MOTONAO; SAITOU KATSUTOSHI; IMAI KUNINORI \| 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2019/12/31
	P-side ohmic electrode for compound semiconductor 专利 OAI收割专利号: JP1984011675A, 申请日期: 1984-01-21, 公开日期: 1984-01-21 作者: MORI MITSUHIRO; SAITOU KATSUTOSHI; MORI TAKAO; HIRAO MOTONAO; CHIBA KATSUNUMA \| 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2019/12/31
	Semiconductor laser 专利 OAI收割专利号: JP1983134488A, 申请日期: 1983-08-10, 公开日期: 1983-08-10 作者: YAMASHITA SHIGEO; KAYANE NAOKI; TAKAHASHI TAKEO; SAITOU KATSUTOSHI; OOUCHI HIROBUMI \| 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2020/01/13
	Manufacture of semiconductor laser device 专利 OAI收割专利号: JP1983108784A, 申请日期: 1983-06-28, 公开日期: 1983-06-28 作者: KOBAYASHI MASAYOSHI; MORI MITSUHIRO; TSUJI SHINJI; SAITOU KATSUTOSHI; CHIBA KATSUAKI \| 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2020/01/13
	Semiconductor device 专利 OAI收割专利号: JP1983077259A, 申请日期: 1983-05-10, 公开日期: 1983-05-10 作者: SAITOU KATSUTOSHI; MORI MITSUHIRO; MORI TAKAO; SATOU NOBU; KOBAYASHI MASAYOSHI \| 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2020/01/13