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• 西安光学精密机械研究... [7]

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• OAI收割 [7]

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• 专利 [7]

发表日期

• 1985 [2]
• 1984 [3]
• 1983 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semicondutor light-emitting device 专利  OAI收割 专利号: JP1985126885A, 申请日期: 1985-07-06, 公开日期: 1985-07-06 作者:  SASAI YOUICHI;  OONAKA SEIJI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 Liquid phase growth method 专利  OAI收割 专利号: JP1985032319A, 申请日期: 1985-02-19, 公开日期: 1985-02-19 作者:  SASAI YOUICHI;  OONAKA SEIJI   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 Liquid epitaxial growth method 专利  OAI收割 专利号: JP1984134822A, 申请日期: 1984-08-02, 公开日期: 1984-08-02 作者:  SASAI YOUICHI;  ISHINO MASATO;  SHIBATA ATSUSHI   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31 Compound semiconductor element 专利  OAI收割 专利号: JP1984113678A, 申请日期: 1984-06-30, 公开日期: 1984-06-30 作者:  SHIBATA ATSUSHI;  HATADA KENZOU;  SASAI YOUICHI;  NAKAO ICHIROU;  KIMURA SOUICHI   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18 Compound semiconductor element 专利  OAI收割 专利号: JP1984111384A, 申请日期: 1984-06-27, 公开日期: 1984-06-27 作者:  SHIBATA ATSUSHI;  HATADA KENZOU;  SASAI YOUICHI;  NAKAO ICHIROU;  KIMURA SOUICHI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 Liquid phase epitaxially growing method 专利  OAI收割 专利号: JP1983213416A, 申请日期: 1983-12-12, 公开日期: 1983-12-12 作者:  OONAKA SEIJI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser integrated photoconductive element 专利  OAI收割 专利号: JP1985127778A, 公开日期: 1985-07-08 作者:  ISHINO MASATO;  SASAI YOUICHI   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26