机构

• 西安光学精密机械研究... [7]
• 上海硅酸盐研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [7]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2017 [1]
• 1990 [1]
• 1989 [5]
• 1988 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Morphology control and phase transition of hexagonal sodium niobate particles 期刊论文  OAI收割 Ceramics International, 2017, 卷号: 43, 期号: 12, 页码: 9124-9127 作者:  Lu, Yao;  Karaki, Tomoaki;  Fujii, Tadashi;  Ido, Yoshiaki;  Li, Yongxiang   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/12/29 Infrared emitting device with dislocation free layer 专利  OAI收割 专利号: US4918496, 申请日期: 1990-04-17, 公开日期: 1990-04-17 作者:  MATSUSHIMA, YUICHI;  SAKAI, KAZUO;  AKIBA, SHIGEYUKI;  UTAKA, KATSUYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 Distributed feedback type semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1989248585A, 申请日期: 1989-10-04, 公开日期: 1989-10-04 作者:  UKO KATSUYUKI;  MATSUSHIMA YUICHI;  SAKAI KAZUO   |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser having quantum well structure 专利  OAI收割 专利号: JP1989205586A, 申请日期: 1989-08-17, 公开日期: 1989-08-17 作者:  MATSUSHIMA YUICHI;  UKO KATSUYUKI;  SAKAI KAZUO   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: EP0314490A3, 申请日期: 1989-07-26, 公开日期: 1989-07-26 作者:  UTAKA, KATSUYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1989024482A, 申请日期: 1989-01-26, 公开日期: 1989-01-26 作者:  UKO KATSUYUKI;  SAKAI KAZUO;  MATSUSHIMA YUICHI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser of long resonator length 专利  OAI收割 专利号: JP1989009679A, 申请日期: 1989-01-12, 公开日期: 1989-01-12 作者:  SAKAI KAZUO;  MATSUSHIMA YUICHI;  UKO KATSUYUKI;  AKIBA SHIGEYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1988299291A, 申请日期: 1988-12-06, 公开日期: 1988-12-06 作者:  UKO KATSUYUKI;  SAKAI KAZUO;  MATSUSHIMA YUICHI;  AKIBA SHIGEYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18