机构

• 近代物理研究所 [10]
• 深圳先进技术研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 会议论文 [6]
• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2016 [1]
• 2011 [1]
• 2007 [6]
• 2004 [3]

学科主题

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Synthesis of Surfactant-Free Cu-Pt Dendritic Heterostructures with Highly Electrocatalytic Performance for Methanol Oxidation Reaction 期刊论文  OAI收割 Materials Research Letters, 2016 作者:  S.D. Kang;  G.H. Gao;  X.B. Xie;  T. Shibayama;  Y.H. Lei 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/01/16 Study of the damage produced in 6H-SiC by He irradiation 期刊论文  OAI收割 VACUUM, 2011, 卷号: 86, 期号: 4, 页码: 452-456 作者:  Li, B. S.;  Yang, Y. T.;  Shibayama, T.;  Zhang, H. H.;  Zhang, C. H.   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2015/10/15 tie irradiation  6H-SiC  Annealing  Lattice damage   Defect production in silicon carbide irradiated with Ne and Xe ions with energy of 2.3 MeV/amu 会议论文  OAI收割 作者:  Zhang, C. H.;  Sun, Y. M.;  Song, Y.;  Shibayama, T.;  Jin, Y. F.   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/08/20 4H-SiC  Ne ions  Xe ions  irradiation  TEM  defects   Defect production in silicon carbide irradiated with Ne and Xe ions with energy of 2.3 MeV/amu 会议论文  OAI收割 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/08/20 4H-SiC  Ne ions  Xe ions  irradiation  TEM  defects   Microstructural evolution in silicon implanted with chlorine ions 会议论文  OAI收割 作者:  Zhang, C. H.;  Shibayama, T.;  Jin, Y. F.;  Yang, Y. T.;  Zhou, L. H.   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/08/20 silicon  chlorine  implantation  TEM  re-crystallization  defects   Microstructural evolution in silicon implanted with chlorine ions 会议论文  OAI收割 作者:  Zhang, C. H.;  Shibayama, T.   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/08/20 silicon  chlorine  implantation  TEM  re-crystallization  defects   Defect production in silicon carbide irradiated with Ne and Xe ions with energy of 2.3 MeV/amu 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2007, 卷号: 256, 期号: 1, 页码: 243-247 作者:  Zhang, C. H.;  Sun, Y. M.;  Song, Y.;  Shibayama, T.;  Jin, Y. F.   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/10/29 4H-SiC  Ne ions  Xe ions  irradiation  TEM  defects   Microstructural evolution in silicon implanted with chlorine ions 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2007, 卷号: 256, 期号: 1, 页码: 272-275 作者:  Zhang, C. H.;  Shibayama, T.;  Jin, Y. F.;  Yang, Y. T.;  Zhou, L. H.   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/10/29 silicon  chlorine  implantation  TEM  re-crystallization  defects   A study of the formation of nanometer-scale cavities in helium-implanted 4H-SiC 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2004, 卷号: 218, 页码: 53-60 作者:  Sun, YM;  Zhang, CH;  Donnelly, SE;  Vishnyakov, VM;  Evans, JH   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/10/29 bubbles  helium  4H-SiC  TEM  RBS-channeling  modeling