机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2006 [1]
• 1990 [3]
• 1986 [1]
• 1985 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Method and apparatus for measuring surface carrier recombination velocity and surface Fermi level 专利  OAI收割 专利号: US20060094133A1, 申请日期: 2006-05-04, 公开日期: 2006-05-04 作者:  TAKEUCHI, HIDEO;  YAMAMOTO, YOSHITSUGU   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 Manufacture of semiconductor laser chip 专利  OAI收割 专利号: JP1990257687A, 申请日期: 1990-10-18, 公开日期: 1990-10-18 作者:  SAKA AKIHIKO;  TAKEUCHI HIDEO;  YAMANAKA HARUYOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 Surface treatment method of gaas substrate 专利  OAI收割 专利号: JP1990210830A, 申请日期: 1990-08-22, 公开日期: 1990-08-22 作者:  HIRAYAMA FUKUICHI;  TAKEUCHI HIDEO   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser device and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1990084786A, 申请日期: 1990-03-26, 公开日期: 1990-03-26 作者:  MOROFUJI TAKESHI;  TAKEUCHI HIDEO   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1986115367A, 申请日期: 1986-06-02, 公开日期: 1986-06-02 作者:  SUGINO TAKASHI;  YOSHIKAWA AKIO;  TAKEUCHI HIDEO;  HATA NAOKUNI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 Liquid-phase epitaxial crystal growth device 专利  OAI收割 专利号: JP1985137014A, 申请日期: 1985-07-20, 公开日期: 1985-07-20 作者:  TAKEUCHI HIDEO;  HATA NAOKUNI;  SUGINO TAKASHI;  YOSHIKAWA NORIYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31