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OAI收割 [9]
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专利 [6]
期刊论文 [3]
发表日期
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2018 [1]
2015 [1]
2013 [1]
2009 [1]
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A pristine record of outer Solar System materials from asteroid Ryugu's returned sample
期刊论文
OAI收割
NATURE ASTRONOMY, 2022, 卷号: 6, 期号: 10, 页码: 1163–1171
作者:
Ito, Motoo
;
Tomioka, Naotaka
;
Uesugi, Masayuki
;
Yamaguchi, Akira
;
Shirai, Naoki
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提交时间:2023/09/18
Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element
专利
OAI收割
专利号: EP3336981A1, 申请日期: 2018-06-20, 公开日期: 2018-06-20
作者:
TAKEUCHI, TETSUYA
;
AKASAKI, ISAMU
;
AKAGI, TAKANOBU
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提交时间:2019/12/30
Ultrathin fiber-taper coupling with nitrogen vacancy centers in nanodiamonds at cryogenic temperatures
期刊论文
OAI收割
Optics Letters, 2015, 卷号: 40, 期号: 24, 页码: 5702-5705
作者:
Fujiwara, Masazumi
;
Zhao, Hong-Quan
;
Noda, Tetsuya
;
Ikeda, Kazuhiro
;
Sumiya, Hitoshi
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提交时间:2018/03/16
Surface emitting laser with current constriction layer and multiple active regions
专利
OAI收割
专利号: US8416824, 申请日期: 2013-04-09, 公开日期: 2013-04-09
作者:
TAKEUCHI, TETSUYA
;
SEKIGUCHI, YOSHINOBU
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
Defensin-like polypeptide LUREs are pollen tube attractants secreted from synergid cells
期刊论文
OAI收割
nature, 2009, 卷号: 458, 期号: 0, 页码: 357-362
作者:
Satohiro Okuda
;
Hiroki Tsutsui
;
Keiko Shiina
;
Stefanie Sprunck
;
Hidenori Takeuchi
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2017/07/26
Light emitting diodes with graded composition active regions
专利
OAI收割
专利号: US6955933, 申请日期: 2005-10-18, 公开日期: 2005-10-18
作者:
BOUR, DAVID P.
;
GARDNER, NATHAN F.
;
GOETZ, WERNER K.
;
STOCKMAN, STEPHEN A.
;
TAKEUCHI, TETSUYA
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提交时间:2019/12/24
System and method for fabricating efficient semiconductor lasers via use of precursors having a direct bond between a group III atom and a nitrogen atom
专利
OAI收割
专利号: US6934312, 申请日期: 2005-08-23, 公开日期: 2005-08-23
作者:
TAKEUCHI, TETSUYA
;
TAN, MICHAEL
;
CHANG, YING-IAN
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提交时间:2019/12/24
Nitride semiconductor layer structure and a nitride semiconductor laser incorporating a portion of same
专利
OAI收割
专利号: US6829273, 申请日期: 2004-12-07, 公开日期: 2004-12-07
作者:
AMANO, HIROSHI
;
AKASAKI, ISAMU
;
KANEKO, YAWARA
;
YAMADA, NORIHIDE
;
TAKEUCHI, TETSUYA
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/12/24
Method for producing a long wavelength indium gallium arsenide nitride(InGaAsN) active region
专利
OAI收割
专利号: US20030211647A1, 公开日期: 2003-11-13
作者:
BOUR, DAVID P.
;
TAKEUCHI, TETSUYA
;
TANDON, ASHISH
;
CHANG, YING-LAN
;
TAN, MICHAEL R.T.
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提交时间:2019/12/26