机构

• 西安光学精密机械研究... [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [7]

发表日期

• 2008 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [1]
• 2004 [2]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Deep quantum well electro-absorption modulator 专利  OAI收割 专利号: US7443561, 申请日期: 2008-10-28, 公开日期: 2008-10-28 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Active region of a light emitting device optimized for increased modulation speed operation 专利  OAI收割 专利号: US20060274801A1, 申请日期: 2006-12-07, 公开日期: 2006-12-07 作者:  TANDON, ASHISH;  DJORDJEV, KOSTADIN;  LIN, CHAO-KUN;  TAN, MICHAEL R.T.   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Method and structure for deep well structures for long wavelength active regions 专利  OAI收割 专利号: US20060083278A1, 申请日期: 2006-04-20, 公开日期: 2006-04-20 作者:  TAN, MICHAEL R. T.;  TANDON, ASHISH;  BOUR, DAVID P.   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 Method of fabricating active layers in a laser utilizing InP-based active regions 专利  OAI收割 专利号: US6876686, 申请日期: 2005-04-05, 公开日期: 2005-04-05 作者:  TANDON, ASHISH;  CHANG, YING-LAN   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 Long-wavelength photonic device with GaAsSb quantum-well layer 专利  OAI收割 专利号: US6711195, 申请日期: 2004-03-23, 公开日期: 2004-03-23 作者:  CHANG, YING-LAN;  CORZINE, SCOTT W.;  DUPUIS, RUSSELL D.;  NOH, MIN SOO;  RYOU, JAE HYUN   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 Laser having active region formed above substrate 专利  OAI收割 专利号: US20040001521A1, 申请日期: 2004-01-01, 公开日期: 2004 作者:  TANDON, ASHISH;  CHANG, YING-LAN;  BOUR, DAVID   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 Method for producing a long wavelength indium gallium arsenide nitride(InGaAsN) active region 专利  OAI收割 专利号: US20030211647A1, 公开日期: 2003-11-13 作者:  BOUR, DAVID P.;  TAKEUCHI, TETSUYA;  TANDON, ASHISH;  CHANG, YING-LAN;  TAN, MICHAEL R.T.   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26