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High-Voltage Breakdown and the Gunn Effect in GaAs/AlGaAsNanoconstrictions 期刊论文  OAI收割
IEEE Transactions on nanotechnology, 2015, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 524
Rui Chen, Weilu Gao, Xuan Wang, Gregory R. Aizin, John Mikalopas, Takashi Arikawa, Koichiro Tanaka, David B. Eason, Gottfried Strasser, Junichiro Kono, and Jonathan P. Bird
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/12/26
Beam Homogenizer, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: US7327916, 申请日期: 2008-02-05, 公开日期: 2008-02-05
作者:  TANAKA, KOICHIRO
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Method of crystallizing a semiconductor film using laser irradiation 专利  OAI收割
专利号: US7268062, 申请日期: 2007-09-11, 公开日期: 2007-09-11
作者:  TANAKA, KOICHIRO;  NAKAYA, TOMOKO
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Beam homogenizer, laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: US20050031261A1, 申请日期: 2005-02-10, 公开日期: 2005-02-10
作者:  TANAKA, KOICHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/31
Method of laser irradiation, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: US20030058916A1, 申请日期: 2003-03-27, 公开日期: 2003-03-27
作者:  TANAKA, KOICHIRO;  MORIWAKA, TOMOAKI
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Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: US20020191301A1, 申请日期: 2002-12-19, 公开日期: 2002-12-19
作者:  TANAKA, KOICHIRO
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Laser irradiation apparatus 专利  OAI收割
专利号: US6441965, 申请日期: 2002-08-27, 公开日期: 2002-08-27
作者:  YAMAZAKI, SHUNPEI;  TANAKA, KOICHIRO;  TERAMOTO, SATOSHI
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