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OAI收割 [28]
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期刊论文 [28]
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Spin excitations in the quantum dipolar magnet Yb(BaBO3)(3)
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 2022, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: 14409
作者:
Jiang, CY
;
Yang, YX
;
Gao, YX
;
Wan, ZT
;
Zhu, ZH
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提交时间:2023/11/10
A Phase Change Memory Device Fabrication Technology Using Si2Sb2Te6 for Low Power Consumption Application
期刊论文
OAI收割
CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE 2011 (CSTIC 2011), 2011, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 1053-1057
Li,Y
;
Wan,XD
;
Song,ZT
;
Xie,J
;
Chen,B
;
Liu,B(刘波)
;
Wu,GP
;
Zhu,NF
;
Zhong,M
;
Xu,J
;
Chen,YF
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提交时间:2012/04/10
ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC
Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory
期刊论文
OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 1014-1016
Zhang,C
;
Song,ZT
;
Wu,GP
;
Liu,B
;
Wan,XD
;
Wang,L
;
Wang,LH
;
Yang,ZY
;
Chen,B
;
Feng,SL
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory
期刊论文
OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 1014-1016
Zhang, C
;
song, zt(重点实验室)
;
Wu, GP
;
Liu, B(重点实验室)
;
Wan, XD
;
Wang, L
;
Wang, LH
;
Yang, ZY
;
Chen, B
;
Feng, SL(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Engineering
Electrical & Electronic
RESET Current Reduction for Phase Change Memory Based on Standard 0.13-mu m CMOS Technology
期刊论文
OAI收割
INTERNATIONAL WORKSHOP ON AUTOMOBILE, POWER AND ENERGY ENGINEERING, 2011, 卷号: 16, 页码: -
Chen, YF
;
song, zt(重点实验室)
;
Chen, XG
;
Liu, B(重点实验室)
;
Feng, GM
;
Xu, C
;
Wang, LY
;
Zhong, M
;
Wan, XD
;
Wu, GP
;
Xie, ZF
;
Yang, ZY
;
Chen, BM
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提交时间:2013/05/10
Energy & Fuels
Transportation Science & Technology
Study on Adhesive Strength between Ge(2)Sb(2)Te(5) Film and Electrodes for Phase Change Memory Application
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: 5
Liu, YB
;
Zhang, T
;
Zhang, GX(张国欣)
;
Niu, XM
;
Song, ZT
;
Min, GQ
;
Lin, Y
;
Zhang, J
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Zhou, WM
;
Zhang, JP
;
Chu, JT
;
Wan, YZ
;
Feng, SL
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提交时间:2012/04/11
Study on Adhesive Strength between Ge2Sb2Te5 Film and Electrodes for Phase Change Memory Application
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: 101601-101601
Liu, YB
;
Zhang, T
;
Zhang, GX
;
Niu, XM
;
Song, ZT
;
Min, GQ
;
Lin, Y
;
Zhang, J
;
Zhou, WM
;
Zhang, JP
;
Chu, JT
;
Wan, YZ
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
CRYSTALLIZATION
RESISTANCE
Study on Adhesive Strength between Ge2Sb2Te5 Film and Electrodes for Phase Change Memory Application
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: 101601
Liu, YB
;
Zhang, T
;
Zhang, GX
;
Niu, XM
;
song, zt(重点实验室)
;
Min, GQ
;
Lin, Y
;
Zhang, J
;
Zhou, WM
;
Zhang, JP
;
Chu, JT
;
Wan, YZ
;
Feng, SL(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Physics
Applied
Highly (111)-textured diamond film growth with high nucleation density
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2008, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 147
Yang, SM
;
Wan, DY
;
He, ZT(贺周同)
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Xia, HH(夏汇浩)
;
Zhu, DZ(朱德彰)
;
Gong, JL(巩金龙)
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提交时间:2012/04/18
Properties of seamless W sub-micro electrode used for phase change memory
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2289-2291
Feng, GM
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Wan, XD
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提交时间:2012/03/24