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• 西安光学精密机械研究... [7]

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• 专利 [7]

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• 2009 [1]
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• 2004 [1]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Photonic crystal semiconductor device and production method thereof 专利  OAI收割 专利号: US7525726, 申请日期: 2009-04-28, 公开日期: 2009-04-28 作者:  KISE, TOMOFUMI;  KIMOTO, TATSUYA;  YOKOUCHI, NORIYUKI;  BABA, TOSHIHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 Surface-emission semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US20080254566A1, 申请日期: 2008-10-16, 公开日期: 2008-10-16 作者:  YOKOUCHI, NORIYUKI;  IWAI, NORIHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 Vertical resonator surface emission laser 专利  OAI收割 专利号: WO2008026721A1, 申请日期: 2008-03-06, 公开日期: 2008-03-06 作者:  KISE, TOMOFUMI;  YOKOUCHI, NORIYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 Photonic crystal single transverse mode defect structure for vertical cavity suface emitting laser 专利  OAI收割 专利号: WO2004105094A2, 申请日期: 2004-12-02, 公开日期: 2004-12-02 作者:  CHOQUETTE, KENT, D.;  YOKOUCHI, NORIYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 Vertical cavity surface emitting semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US20030048824A1, 申请日期: 2003-03-13, 公开日期: 2003-03-13 作者:  SHINAGAWA, TATSUYUKI;  IWAI, NORIHIRO;  YOKOUCHI, NORIYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Surface emitting semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US20020167985A1, 申请日期: 2002-11-14, 公开日期: 2002-11-14 作者:  SHINAGAWA, TATSUYUKI;  YOKOUCHI, NORIYUKI;  SHIINA, YASUKAZU;  KASUKAWA, AKIHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 Surface emitting semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US20020031154A1, 申请日期: 2002-03-14, 公开日期: 2002-03-14 作者:  YOKOUCHI, NORIYUKI;  KASUKAWA, AKIHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2020/01/18