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Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (4th edition) 期刊论文  OAI收割
AUTOPHAGY, 2021, 卷号: 17
作者:  Klionsky, Daniel J.;  Abdel-Aziz, Amal Kamal;  Abdelfatah, Sara;  Abdellatif, Mahmoud;  Abdoli, Asghar
  |  收藏  |  浏览/下载：319/0  |  提交时间：2021/05/31
Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (3rd edition) 期刊论文  OAI收割
AUTOPHAGY, 2016, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 1-222
作者:  Arcaro, Alexandre;  Arias, Esperanza;  Arimoto, Hirokazu;  Ariosa, Aileen R.;  Armstrong, Jane L.
  |  收藏  |  浏览/下载：375/0  |  提交时间：2018/12/29
Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (3rd edition) 期刊论文  OAI收割
AUTOPHAGY, 2016, 卷号: 12, 页码: 1-222
作者:  Klionsky, Daniel J.;  Abdelmohsen, Kotb;  Abe, Akihisa;  Abedin, Md Joynal;  Abeliovich, Hagai
  |  收藏  |  浏览/下载：616/0  |  提交时间：2018/05/31
Autolysosome  Autolysosome  Autophagosome  Autophagosome  Chaperone-mediated Autophagy  Chaperone-mediated Autophagy  Flux  Flux  Lc3  Lc3  Lysosome  Lysosome  Macroautophagy  Macroautophagy  Phagophore  Phagophore  Stress  Stress  Vacuole  Vacuole  Autolysosome  Autolysosome  Autophagosome  Autophagosome  Chaperone-mediated Autophagy  Chaperone-mediated Autophagy  Flux  Flux  Lc3  Lc3  Lysosome  Lysosome  Macroautophagy  Macroautophagy  Phagophore  Phagophore  Stress  Stress  Vacuole  Vacuole  Autolysosome  Autophagosome  Chaperone-mediated Autophagy  Flux  Lc3  Lysosome  Macroautophagy  Phagophore  Stress  Vacuole  Autolysosome  Autophagosome  Chaperone-mediated Autophagy  Flux  Lc3  Lysosome  Macroautophagy  Phagophore  Stress  Vacuole  
Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren 专利  OAI收割
专利号: DE69400533T2, 申请日期: 1997-02-20, 公开日期: 1997-02-20
作者:  HASHIMOTO JUNICHI,JP;  KATSUYAMA TSUKURU,JP;  YOSHIDA ICHIRO,JP
  |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/26
Multi-beam semiconductor laser and method for producing the same 专利  OAI收割
专利号: CA2089900A1, 申请日期: 1993-08-21, 公开日期: 1993-08-21
作者:  YOSHIDA ICHIRO;  KATSUYAMA TSUKURU;  HASHIMOTO JUNICHI
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Semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1990084785A, 申请日期: 1990-03-26, 公开日期: 1990-03-26
作者:  YOSHIDA TOMOAKI;  SAITO TETSUO;  SATO SHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13
Surface emission type semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割
专利号: US4897846, 申请日期: 1990-01-30, 公开日期: 1990-01-30
作者:  YOSHIDA, TOMOAKI;  INABA, FUMIO;  ITO, HIROMASA;  SAITO, TETSURO;  SATO, SHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1987172780A, 申请日期: 1987-07-29, 公开日期: 1987-07-29
作者:  YOSHIDA JUNICHI;  NAKANO YOSHINORI;  UEHARA SHINGO
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1986271886A, 申请日期: 1986-12-02, 公开日期: 1986-12-02
作者:  NAKANO YOSHINORI;  YOSHIDA JUNICHI;  UEHARA SHINGO
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