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• 西安光学精密机械研究... [8]

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• 专利 [8]

发表日期

• 2015 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 III-nitride semiconductor laser device and method for fabricating III-nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US8953656, 申请日期: 2015-02-10, 公开日期: 2015-02-10 作者:  KYONO, TAKASHI;  TAKAGI, SHIMPEI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/26 Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利  OAI收割 专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26 作者:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/24 Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US8594145, 申请日期: 2013-11-26, 公开日期: 2013-11-26 作者:  TAKAGI, SHIMPEI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  KATAYAMA, KOJI;  UENO, MASAKI;  IKEGAMI, TAKATOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2020/01/13 Gallium nitride based semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same, gallium nitride based light-emitting diode, epitaxial wafer, and method for fabricating gallium nitride light-emitting diode 专利  OAI收割 专利号: US8488642, 申请日期: 2013-07-16, 公开日期: 2013-07-16 作者:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/12/24 Group III nitride semiconductor element and epitaxial wafer 专利  OAI收割 专利号: US8391327, 申请日期: 2013-03-05, 公开日期: 2013-03-05 作者:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  UENO, MASAKI;  NAKANISHI, FUMITAKE   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 Gallium nitride-based semiconductor optical device, method of fabricating gallium nitride-based semiconductor optical device, and epitaxial wafer 专利  OAI收割 专利号: US8228963, 申请日期: 2012-07-24, 公开日期: 2012-07-24 作者:  ENYA, YOHEI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  OSADA, HIDEKI;  ISHIBASHI, KEIJI;  AKITA, KATSUSHI   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/26 Method for producing nitride semiconductor optical device and epitaxial wafer 专利  OAI收割 专利号: US8183071, 申请日期: 2012-05-22, 公开日期: 2012-05-22 作者:  AKITA, KATSUSHI;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/12/24 Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US7933303, 申请日期: 2011-04-26, 公开日期: 2011-04-26 作者:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  ADACHI, MASAHIRO;  AKITA, KATSUSHI   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/24