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The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies 期刊论文  OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702
Hu, ZY; Liu, ZL; Shao, H; Zhang, ZX（重点实验室）; Ning, BX; Bi, DW（重点实验室）; Chen, M; Zou, SC（重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2013/05/10
An insight into voltage-biased superconducting quantum interference devices 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 22, 页码: 222602
Liu, C; Zhang, Y; Muck, M; Krause, HJ; Braginski, AI; Xie, XM(重点实验室）; Offenhausser, A; Jiang, MH(重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/05/10
Planar SQUID magnetometer integrated with bootstrap circuitry under different bias modes 期刊论文  OAI收割
SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 125007
Zhang, Y; Liu, C; Schmelz, M; Krause, HJ; Braginski, AI; Stolz, R; Xie, XM(重点实验室）; Meyer, HG; Offenhausser, A; Jiang, MH(重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/05/10
Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD 期刊论文  OAI收割
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2012, 卷号: 57, 期号: 15, 页码: 1862-1867
Xue, ZY; Chen, D; Liu, LJ; Jiang, HT; Bian, JT; Wei, X; di, zf(重点实验室）; Zhang, M（重点实验室）; Wang, X（重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/05/10
Influence of Si nanocrystal embedded in BOX on radiation and electrical properties of SOI wafer 期刊论文  OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 257-260
Bi, DW（重点实验室）; Zhang, ZX（重点实验室）; Chen, M; Wu, AM（重点实验室）; Wei, X; Wang, X（重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/05/10
Chemical Mechanical Polishing of Ge2Sb2Te5 Using Abrasive-Free Solutions of Iron Trichloride 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 38301
Yan, WX; Wang, LY; Zhang, ZF; He, AD; Zhong, M; Liu, WL; Wu, LC; song, zt(重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2013/05/10
Transportation of carriers in silicon implanted SiO2 films during ionizing radiation 期刊论文  OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 266-270
Chen, M; Zhang, Z（重点实验室）X; Wei, X; Bi, DW（重点实验室）; Zou, S（重点实验室）C; Wang, X（重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/05/10
Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703
Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, ZX（重点实验室）; Shao, H; Chen, M; Bi, DW; Ning, BX; Zou, SC（重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/05/10
Analysis of bias effects on the total ionizing dose response in a 180 nm technology 期刊论文  OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2011, 卷号: 644, 期号: 1, 页码: 48-54
Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, Z（重点实验室）X; Shao, H; Chen, M; Bi, DW; Ning, BX; Zou, SC（重点实验室）
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Comparison of Noise Performance of the dc SQUID Bootstrap Circuit With That of the Standard Flux Modulation dc SQUID Readout Scheme 期刊论文  OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, 2011, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 501-504
Zhang, Y; Zhang, GF; Wang, HW; Wang, YL; Dong, H; Xie, XM(重点实验室）; Muck, M; Krause, HJ; Braginski, AI; Offenhausser, A; Jiang, MH(重点实验室）
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