机构

• 半导体研究所 [8]
• 合肥物质科学研究院 [2]
• 上海应用物理研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [12]

发表日期

• 2012 [4]
• 2011 [7]
• 2009 [1]

学科主题

• 光电子学 [8]
• 等离子体物理::等离... [2]
• Engineerin... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electric field induced phase instability in typical (Na,K)(Nb,Sb)O-3-LiTaO3 ceramics near orthorhombic and tetragonal phase boundary 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 9 Zuo, RZ; Fu, J; Yin, GZ; Li, XL; Jiang, JZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/12/05 Room-temperature direct-bandgap photoluminescence from strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells on silicon 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 17805 Hu, WX; Cheng, BW; Xue, CL; Zhang, GZ; Su, SJ; Zuo, YH; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/17 Investigation of fuel retention via gas balance on HT-7 期刊论文  OAI收割 vacuum, 2012 作者:  Chen, Y;  Hu, JS;  Yu, YW;  Zuo, GZ;  Cao, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/07/09 Comparison of various wall conditionings on the reduction of H content and particle recycling in EAST 期刊论文  OAI收割 plasma physics and controlled fusion, 2012 作者:  Hu, JS;  Li, JG;  Wu, JH;  Cao, B;  Zuo, GZ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/07/09 GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection 期刊论文  OAI收割 optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 6408-6413 Su SJ; Cheng BW; Xue CL; Wang W; Cao QA; Xue HY; Hu WX; Zhang GZ; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：70/5  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PERFORMANCE  SEMICONDUCTORS  SILICON   Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471 Wang W; Su SJ; Zheng J; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：97/7  |  提交时间：2011/07/05 Germanium tin alloys  Germanium buffer  Surface morphology evolution  Mass transport  SURFACE  GROWTH  EVOLUTION  DECAY   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103 作者:  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/07 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103 Wang, W; Su, SJ; Zheng, J; Zhang, GZ; Zuo, YH; Cheng, BW; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/02/06 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：71/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Hu WX; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 Semiconductors  Raman scattering  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN FREQUENCIES  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1  SILICON  SCATTERING  GROWTH