机构

• 上海微系统与信息技术... [6]
• 合肥物质科学研究院 [2]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 学位论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [2]
• 2006 [3]
• 2004 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究 期刊论文  OAI收割 光电子.激光, 2011, 期号: 04 王新中; 于广辉; 李世国 收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2012/04/13 GaN  阳极Al2O3(AAO)  纳米点阵  氢化物气相外延(HVPE)   纳米尺度图形化衬底的制备及其在HVPE生长GaN中的应用 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 王新中 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/06 氮化镓  　氢化物气相外延  　阳极氧化铝  　纳米尺寸微区掩膜　   原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 029 作者:  Duan Chenghong;  Qiu Kai;  Li Xinhua;  Zhong Fei;  Yin Zhijun   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/11/25 GaN  原位退火  氢化物气相外延   用在可制造性设计中的光刻规则检查 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2006, 期号: 12 陆梅君; 金晓亮; 毛智彪; 梁强 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/06 氮化镓  氢化物气相外延  阳极氧化铝   基于微加速度传感器的高速动态车辆超载检测 期刊论文  OAI收割 上海交通大学学报, 2006, 期号: 11 郑军庭; 李建勋; 杨恒; 李玉芳 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN  氢化物气相外延(HVPE)  低温AlN插入层   氢化物气相外延生长GaN材料及其物性分析 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2006 雷本亮   收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2012/03/06 氮化镓  氢化物气相外延  成核  插入层  微区掩膜     高容量的Ti-V基BCC相储氢合金 期刊论文  OAI收割 高等学校化学学报, 2004, 期号: 02 余学斌; 吴铸 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN  衬底氮化  氢化物气相外延