机构

• 微电子研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2005 [2]
• 2001 [1]
• 2000 [1]
• 1998 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 5，93-96,99 作者:  王志玮;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26 双栅mosfet  自对准  亚微米工艺  假栅   亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究 期刊论文  OAI收割 电子与封装, 2005, 卷号: 5, 期号: 9, 页码: 5，29-33 作者:  张志勇;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/05/26 亚微米工艺  自对准技术  双层多晶硅  双极晶体管  原位掺杂   全新深亚微米X射线T型栅工艺 期刊论文  OAI收割 北京同步辐射装置年报, 2001, 期号: 1, 页码: 3，142-144 作者:  韩勇;  彭良强;  谢常青;  陈大鹏;  孙加兴   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/25 Gaas  半导体材料  亚微米x射线t型栅工艺  制造  半导体器件  X射线光刻  同步辐射  砷化镓   深亚微米栅HFET器件工艺研究 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 4，193-196 作者:  和致经;  郑英奎   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/05/25 混合曝光  Hfet  T型栅  工艺研究  深亚微米栅   KrF准分子激光移相光刻在HEMT栅加工中的应用 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 1998, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 7，94-100 作者:  钱鹤;  刘训春   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/25 移相光刻  深亚微米  Hemt  半导体制造工艺