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采集方式

• OAI收割 [21]

内容类型

• 期刊论文 [13]
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• 会议论文 [3]

发表日期

• 2012 [1]
• 2011 [1]
• 2008 [1]
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• 2005 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 纳米图形蓝宝石衬底上MOCVD外延生长AlN 会议论文  OAI收割 第十二届全国MOCVD学术会议, 中国福建厦门, 2012-04-11 作者:  董鹏;  闫建昌;  吴奎;  曾建平;  丛培沛 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2014/04/02 MOCVD  蓝宝石衬底  AlN  纳米图形  外延生长  侧向外延  外延层  AIN  纳米级  发光的  微米级  摇摆曲线  形貌  深紫外  原子的  迁移率  位错密度  自组装  紫外固化  反应室   GaAs基长波长InAs量子点分子束外延生长 学位论文  OAI收割 硕士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2011, 2011 作者:  朱岩   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/06/01 InAs量子点  Inas量子点  分子束外延  异变层  光致发光  分子束外延  异变层  光致发光   科技期刊编辑通过出版职业资格考试的方法探析 期刊论文  OAI收割 编辑学报, 2008, 期号: 05 郭雨齐; 姬永成 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 SOG  SOI  外延层转移  智能剥离   基于微加速度传感器的高速动态车辆超载检测 期刊论文  OAI收割 上海交通大学学报, 2006, 期号: 11 郑军庭; 李建勋; 杨恒; 李玉芳 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN  氢化物气相外延(HVPE)  低温AlN插入层   氢化物气相外延生长GaN材料及其物性分析 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2006 雷本亮   收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2012/03/06 氮化镓  氢化物气相外延  成核  插入层  微区掩膜     带有片上天线的非接触式IC卡设计 期刊论文  OAI收割 复旦学报(自然科学版), 2005, 期号: 01 王元; 高丹; 黄均鼐 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 氮化镓  RF-Plasma分子束外延  原子力显微镜  X射线衍射分析  缓冲层   GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响 会议论文  OAI收割 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2002 于广辉; 千叶大学电子光情报基础技术研究中心(日本) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/01/18 低温缓冲层 半导体材料 氮化镓 化学气相淀积 外延生长   GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2002 赵智彪   收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/03/06 GaN  AIGaN/GaN  射频等离子分子束外延  缓冲层  欧姆接触     等离子体协助的ZnS:Mn外延层生长及其电致发光 会议论文  OAI收割 中国厦门 作者:  张振中;  申德振 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/03/19 等离子体协助MOCVD  ZnS:Mn外延层  电致发光   X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 1997, 期号: 9, 页码: 5 作者:  朱海军;  蒋最敏;  郑文莉;  姜晓明;  徐阿妹 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2015/12/25 异质外延  Ge  X射线衍射研究  表面活化剂  外延层  高能电子衍射  缓冲层  衍射技术  岛状  外延生长