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β-Ga_2O_3单晶制备工艺的研究进展 期刊论文 OAI收割
功能材料, 2021, 卷号: 52, 期号: 01, 页码: 1070-1077
作者: 陈博利; 杨依帆; 冷国琴; 黄朝晖; 孙峙

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点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 期刊论文 OAI收割
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16, 页码: 76-90
作者: 谢修华; 李炳辉; 张振中; 刘雷; 刘可为

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石墨烯与宽禁带半导体材料的接触特性研究 学位论文 OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 钟海舰

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半导体照明技术的发展现状和展望 期刊论文 OAI收割
光机电信息, 2008, 期号: 7
作者: 褚明辉

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新型硅基GaN外延材料的热应力模拟 会议论文 OAI收割
第六届中国功能材料及其应用学术会议, 2007
王曦; 孙佳胤; 武爱民; 陈静; 王曦

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收藏 | 浏览/下载：51/0 | 提交时间：2012/03/06

β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质 期刊论文 OAI收割
功能材料, 2006, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 358, 360363
张俊刚; 夏长泰; 吴锋; 裴广庆; 徐军; 邓群; 徐悟生; 史宏生

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宽禁带氧化锌半导体薄膜的研究进展 期刊论文 OAI收割
激光与光电子学进展, 2005, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 41, 44,37
洪瑞金; 贺洪波; 邵建达; 范正修

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宽禁带半导体材料—AIN薄膜的离子束合成与表征 学位论文 OAI收割
硕士: 中国科学院上海冶金研究所 , 2000
程莉莉

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