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碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:
冯皓楠1,2,3
;
杨圣1,2,3
;
梁晓雯1,2,3
;
张丹1,2,3
;
蒲晓娟1,2,3
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2022/05/06
碳化硅
总剂量效应
静态参数
动态特性
耗尽层
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 314-324
作者:
张晋新1
;
王信2
;
郭红霞2,3
;
冯娟1
;
吕玲1
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2022/03/17
锗硅异质结双极晶体管
总剂量效应
三维数值模拟
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
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浏览/下载:88/0
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提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150
作者:
刘炳凯1,2,3,4
;
李豫东1,2,3
;
文林1,2,3
;
周东1,2,3
;
郭旗1,2,3
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2022/03/07
CMOS图像传感器
位移损伤效应
电离总剂量效应
暗电流随机电报信号
模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应
期刊论文
OAI收割
辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 93-98
作者:
相传峰1,2,3
;
姚帅2,3,4
;
于新2,3
;
李小龙2,3
;
陆妩1,2,3
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2021/09/07
模拟数字转换器
总剂量效应
单粒子翻转
协合效应
增强型氮化镓功率器件的总剂量效应
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2021, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 444-448
作者:
陈思远1,2,3
;
于新1,2
;
陆妩1,2
;
王信1,2
;
李小龙1,2
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2021/11/10
氮化镓功率器件
总剂量效应
低剂量率损伤增强效应
NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2021, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 388-393
作者:
徐锐1,2
;
周东1
;
刘炳凯1,2
;
李豫东1
;
蔡娇1
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2021/11/29
电离总剂量效应
DC-DC电源变换器
输出电压
辐射损伤机理
不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2183-2190
作者:
相传峰1,2
;
李小龙1
;
陆妩1,2
;
王信1
;
刘默寒1
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2022/01/25
温度效应
总剂量效应
界面陷阱电荷
GLPNP双极晶体管
抗辐射封装加固:电子辐射屏蔽设计
期刊论文
OAI收割
微处理机, 2021, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1-4
作者:
赵鹤然1
;
王吉强2
;
陈明祥3
;
杨涛4
;
何承发5
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提交时间:2021/11/29
总剂量效应
空间辐射
封装加固
纳米材料
屏蔽
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应