中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
新疆理化技术研究所 [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
期刊论文 [6]
学位论文 [3]
发表日期
2021 [1]
2019 [1]
2018 [1]
2012 [2]
2011 [3]
2010 [1]
更多
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2021, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 388-393
作者:
徐锐1,2
;
周东1
;
刘炳凯1,2
;
李豫东1
;
蔡娇1
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2021/11/29
电离总剂量效应
DC-DC电源变换器
输出电压
辐射损伤机理
极端辐射环境下双极晶体管的剂量率效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
刘默寒
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:65/0
  |  
提交时间:2019/07/15
双极晶体管
低剂量率辐射损伤增强效应
变温辐照加速评估方法
极高总剂量
氢化氧空位
界面陷阱电荷
氧化物陷阱电荷
国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS
期刊论文
OAI收割
半导体技术, 2018, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 369-374
作者:
魏昕宇
;
陆妩
;
李小龙
;
王信
;
孙静
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:63/0
  |  
提交时间:2018/06/13
国产pnp型双极晶体管
宽总剂量范围
低剂量率损伤增强效应(Eldrs)
辐射损伤
剂量率
静态随机存储器总剂量辐射效应及损伤机理的研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
卢健
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2016/05/10
Sram
大规模集成电路
不同偏置
总剂量辐射效应
辐射损伤
不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应
期刊论文
OAI收割
核技术, 2012, 期号: 8, 页码: 601-605
作者:
卢健
;
余学峰
;
李明
;
张乐情
;
崔江维
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2012/11/29
静态随机存储器
总剂量效应
不同偏置条件
辐射损伤
印记现象
SRAM型FPGA器件总剂量辐射效应及评估技术的研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
高博
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2016/05/24
Sram型fpga器件
总剂量效应
辐射损伤
评估技术
试验方法
静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 442-447
作者:
高博
;
余学峰
;
任迪远
;
李豫东
;
崔江维
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2012/11/29
60Coγ
总剂量辐射损伤效应
SRAM型FPGA
CMOS单元
双极线性稳压器电离辐射剂量率效应及其损伤分析
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 9, 页码: 500-508
作者:
王义元
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2012/11/29
双极线性稳压器
总剂量效应
剂量率效应
辐射损伤
Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应
期刊论文
OAI收割
强激光与粒子束, 2010, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2724-2728
作者:
高博
;
余学峰
;
任迪远
;
王义元
;
李豫东
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2012/11/29
SRAM型FPGA
60Coγ
总剂量辐射损伤效应
退火效应