机构

• 微电子研究所 [3]
• 金属研究所 [2]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2006 [3]
• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 1998 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 95-96 卓木金; 马秀良 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/12 界面层厚度:7807  栅介质层:3216  相对介电常数:2195  薄膜:2048  二氧化硅:1902  氧化铪:1889  透射电子显微镜:1813  等效厚度:1778  退火温度:1778  化学成分:1696   HfO2/Si(001)界面层的TEM研究 会议论文  OAI收割 2006年全国电子显微学会议, 沈阳, 2006-08-26 卓木金; 马秀良 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2013/08/21 栅氧化层  氧化硅  高K介质材料  隧穿效应  栅介质层  微电子技术   高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W／TiN金属栅电极CMOS器件 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 448-453 作者:  林钢;  徐秋霞;  周华杰;  钟兴华   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/26 等效氧化层厚度  氮氧叠层栅介质  W／tin金属栅  非cmp平坦化   超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5，651-655 作者:  钟兴华;  吴峻峰;  杨建军;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/05/26 等效氧化层厚度  氮化硅／氮氧化硅复合叠层栅介质  高^  硼穿通  金属栅   恒压应力下超薄Si3N4／SiO2叠层栅介质与SiO2栅介质寿命比较 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1717-1721 作者:  林钢;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 恒压应力  超薄si3n4／sio2  叠层栅介质  超薄sio2栅介质  栅介质寿命预测   薄栅介质层击穿特性与质量评估 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海冶金研究所）  , 1998 林立谨 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2012/03/06 栅介质层  SiO<  1>  薄膜  击穿特性  薄栅氧化层