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OAI收割 [18]
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期刊论文 [15]
学位论文 [3]
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博士论文-利用单晶沟道效应的高流强正电子源
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
徐成海
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2015/10/12
正电子源
单晶沟道效应
ILC
颗粒靶
GaN 基 HEMT材料的新结构研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
毕杨
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2012/05/30
氮化镓
铟铝氮
二维电子气
高电子迁移率晶体管
短沟道效应
荷能粒子在碳纳米管中传输机制的模拟研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院, 2011
李勇
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/08/15
碳纳米管 沟道效应 分子动力学 蒙特卡洛方法
高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2008, 卷号: 2008, 期号: 04, 页码: 2161-2164
彭海波
;
王铁山
;
韩运成
;
丁大杰
;
徐鹤
;
程锐
;
赵永涛
;
王瑜玉
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/10/29
高电荷态离子
溅射
沟道效应
新型金属源/漏工程新进展
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 6,524-529
作者:
尚海平
;
徐秋霞
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/05/27
Mosfet
短沟道效应
金属源/漏
金属硅化物 肖特基势垒调节
肖特基势垒源/漏
新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计
期刊论文
OAI收割
红外, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 7-11
作者:
胡伟达
;
陈效双
;
全知觉
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/30
器件模拟
数值方法
Mosfet
Finfet
短沟道效应
采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI 器件的窄沟道效应
期刊论文
OAI收割
电 子 器 件, 2007, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 4,1535_1538
作者:
郭天雷
;
宋文斌
;
许高博
;
韩郑生
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/05/26
部分耗 Soi
鸟嘴效应
边缘电场效应
反向窄沟道效应
杂质重新分布
硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响
期刊论文
OAI收割
微电子学与计算机, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 28-30
作者:
韩郑生
;
孙宝刚
;
邵红旭
;
吴峻峰
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/05/26
Soi
槽栅mos器件
短沟道效应
热载流子效应
SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究
期刊论文
OAI收割
核技术, 2005, 期号: 04
陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/07/04
应变
硅锗
卢瑟福背散射/沟道效应
高分辨率X射线衍射
拉曼谱
荷能带电粒子在碳纳米管绳内的沟道效应
期刊论文
OAI收割
核技术, 2005, 期号: 04
郑里平,许子建,朱志远
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2012/07/04
碳纳米管绳
沟道效应
粒子束流传输