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• 上海微系统与信息技术... [4]
• 新疆理化技术研究所 [1]
• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 学位论文 [2]

发表日期

• 2019 [1]
• 2012 [3]
• 2011 [1]
• 2002 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文  OAI收割 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/03/19 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离   深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 刘张李 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/04/24 总剂量辐射效应  陷阱正电荷  浅沟槽隔离氧化物  辐射加固   0.18 微米嵌入式闪存总剂量辐射效应研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 胡志远 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/04/24 MOS器件  闪存单元  总剂量效应  浅沟槽隔离   深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96 胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2013/02/22 总剂量效应  浅沟槽隔离  氧化层陷阱正电荷  金属氧化物半导体场效晶体管   0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2011, 期号: 11 刘张李; 胡志远; 张正选; 邵华; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/13 总剂量效应  浅沟槽隔离  氧化层陷阱正电荷  MOSFET   深亚微米隔离技术—浅沟槽隔离工艺 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 7,323_329 作者:  徐秋霞;  王新柱   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/25 浅沟槽隔离工艺