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超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/06/02
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文  OAI收割
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669
作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅;  郭旗;  李豫东;  文林
收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2016/06/07
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文  OAI收割
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2015/09/09
高速深亚微米CMOS模数/数模转换器辐射效应、损伤机理及评估方法研究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2014
作者:  吴雪
  |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2014/08/05
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  崔江维
  |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2016/05/10
沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 347-353
作者:  崔江维;  余学峰;  任迪远;  卢健
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/11/29
超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应 会议论文  OAI收割
第十届全国博士生学术年会, 济南, 2012
作者:  余学峰
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/11/10
高性能低功耗的数字信号处理部件结构设计研究 学位论文  OAI收割
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院研究生院, 2008
作者:  李振伟
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2015/09/02
工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件性能的影响 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008
李睿
收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2012/03/06
基于逻辑力度的高速CMOS集成电路设计 会议论文  OAI收割
上海市电机工程学会上海市电工技术学会2006年学术年会, 2006
李林森; 李建华; 张爱新
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/01/18