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浏览/检索结果: 共23条,第1-10条 帮助

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GaN湿法刻蚀方法及其应用研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018
作者:  
张淼荣
  |  收藏  |  浏览/下载:71/0  |  提交时间:2019/03/28
表面集成微光学元件垂直腔面发射激光器研究 学位论文  OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  
黄佑文
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2019/09/23
痕量氢气法监测硅中阶梯光栅湿法刻蚀截止点 期刊论文  OAI收割
长春工业大学学报, 2015, 期号: 05, 页码: 496-502
作者:  
王军
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2016/07/06
硅中阶梯光栅的湿法刻蚀技术 期刊论文  OAI收割
长春工业大学学报, 2015, 期号: 04, 页码: 390-394
作者:  
焦庆斌
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2016/07/06
小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究 期刊论文  OAI收割
长春工业大学学报, 2015, 期号: 03, 页码: 288-292
作者:  
焦庆斌
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2016/07/06
超声波震荡法及润湿性增强法对单晶硅阶梯光栅闪耀面粗糙度的影响 期刊论文  OAI收割
光学学报, 2014, 期号: 3, 页码: 53-59
焦庆斌; 巴音贺希格; 谭鑫; 李艳茹; 朱继伟; 吴娜
收藏  |  浏览/下载:40/0  |  提交时间:2015/04/17
基于Logistic回归的湿法刻蚀腔体气流场参数分析 期刊论文  OAI收割
机械设计与制造, 2012, 期号: 6, 页码: 223-225
作者:  
王靖震;  刘伟军
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2012/10/24
KDP/DKDP晶体和熔石英激光损伤及抑制技术研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2011
作者:  
胡国行
收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2016/11/28
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
波长延伸(1.7~2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制 期刊论文  OAI收割
红外与激光工程, 2008, 期号: S3
张永刚; 顾溢; 王凯; 李成; 李爱珍; 郑燕兰
收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2012/01/06