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• 微电子研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2003 [2]
• 2002 [1]
• 2000 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 应用于纳米制造的新型电子束抗蚀剂Calixarene的工艺研究 期刊论文  OAI收割 纳米技术与精密工程, 2009, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 4，275-278 作者:  谢常青;  安南;  刘明;  陈宝钦;  任黎明   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/06/01 纳米制造  电子束光刻  工艺技术  电子束抗蚀剂  Calixarene   HSQ用于电子束曝光的性能分析 期刊论文  OAI收割 微细加工技术, 2008, 期号: 4, 页码: 4，10-13 作者:  赵珉;  陈宝钦;  刘明;  谢常青;  朱效立   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/05/27 Hsq（hydrogen Silsesquioxane）  电子束曝光技术  抗蚀剂工艺  邻近效应   SAL601负性电子束抗蚀剂纳米级集成电路加工 期刊论文  OAI收割 微纳电子技术, 2003, 卷号: 40, 期号: 7, 页码: 3，167-169 作者:  徐秋霞;  王云翔;  刘明;  陈宝钦   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/25 Sal601  负性电子束  抗蚀剂  纳米级集成电路  曝光   电子束曝光UV3正性抗蚀剂的工艺研究 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2003, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 5，485-489 作者:  刘明;  殷华湘;  王云翔;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/25 电子束曝光  凹槽图形 Uv3  正性抗蚀剂  曝光延迟效应  光刻   电子束曝光技术发展概况 期刊论文  OAI收割 世界产品与技术, 2002, 期号: 4, 页码: 3,27-29 作者:  刘明;  张建宏   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/25 电子束  曝光技术  微电子技术  Sem  高斯扫描系统  成型束  抗蚀剂   电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 4，416-419 作者:  刘明;  陈宝钦   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/25 I－线光致抗蚀剂  电子束 接触式曝光机  混合曝光