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	偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响期刊论文 OAI收割辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70 作者: 王利斌; 王信; 吴雪 \| 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2020/11/03 SiGe BiCMOS 偏置条件电离总剂量氧化物陷阱电荷界面态
	CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究会议论文 OAI收割中国甘肃兰州, 2014-08-13 作者: 玛丽娅; 李豫东; 郭旗; 刘昌举; 文林 \| 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2018/06/05 Cmos有源像素传感器电子辐照电离效应暗电流氧化物陷阱电荷界面态缺陷
	电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应期刊论文 OAI收割原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 603-607 作者: 李鹏伟; 郭旗; 任迪远; 于跃; 兰博收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2012/11/29 商用CCD 氧化物电荷界面态退火效应
	注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响会议论文 OAI收割第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 王茹; 张正选; 俞文杰; 田浩; 毕大炜; 张帅; 陈明收藏 \| 浏览/下载：50/0 \| 提交时间：2012/01/18 总剂量效应氧化物陷阱电荷界面态陷阱电荷注硅工艺改性加固材料抗辐射性能金属氧化物半导体场效应晶体管
	Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷期刊论文 OAI收割功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 4，927-930 作者: 蔡小五; 海潮和; 王立新; 陆江; 刘刚 \| 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2010/05/27 Vdmos 辐照氧化物陷阱电荷界面态电荷
	Si3N4／SiO2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究期刊论文 OAI收割核电子学与探测技术, 2008, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4，754-756,777 作者: 蔡小五; 海潮和; 陆江; 王立新; 刘刚 \| 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2010/05/27 叠层栅界面态电荷氧化物俘获电荷电容
	Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布期刊论文 OAI收割核电子学与探测技术, 2006, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 328-330 作者: 余学峰; 张国强; 艾尔肯; 郭旗; 陆妩收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2012/11/29 MOS电容氧化物电荷界面态能级分布
	栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系期刊论文 OAI收割核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 227-230 作者: 陆妩; 任迪远; 郭旗; 余学锋; 郑毓峰收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2012/11/29 CMOS运算放大器跨导栅氧层氧化物电荷界面态
	AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响期刊论文 OAI收割半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 937-941 作者: 范隆; 李培咸; 郝跃收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2012/11/29 AlGaN/GaN异质结辐射界面态电荷二维电子气迁移率