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学科主题

• 光电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 硅基微纳结构光子芯片上的光学模拟：量子行走及其应用 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 祁帆 收藏  |  浏览/下载：232/0  |  提交时间：2016/12/13 量子行走  光学模拟  光子晶体  纳米线波导  二阶耦合  改进的粘合二叉树  绝缘体上的硅   0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 罗杰馨 收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2013/04/24 绝缘体上的硅  部分耗尽  浮体效应  记忆效应  隧道二极管   高压LDMOS晶体管准饱和效应分析与建模 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2010, 期号: 01 王磊; 杨华岳 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2012/01/06 绝缘体上的硅锗  注氧隔离  埋氧  氧化   环栅结构CMOS/SOI器件SPICE模型研究 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2010, 期号: 06 贺威; 张正选 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 绝缘体上的硅  界面形貌  剂量窗口  注氧隔离   低温等离子体键合与新型高速衬底材料制备 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2010 马小波 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2012/03/06 低温等离子体键合  绝缘体上的硅（SOI）  绝缘体上锗硅（SGOI）  绝 缘体上的锗（GeOI）  应变硅（strained Si）   PDSOINMOS／CMOS闩锁特性 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2009, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 6，429-434 作者:  海潮和;  李晶;  李多力;  韩郑生;  曾传滨   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/06/01 绝缘体上的硅  闩锁  金属氧化物半导体   SOI微机械结构和相关器件研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 武爱民 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘体上的硅  　微机械系统  　压力传感器  　有限元分析  　二维光子晶体　   用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 期号: 07 冯高明; 刘波; 吴良才; 宋志棠; 封松林; 陈宝明 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/01/06 绝缘体上的硅  总剂量辐射  背沟道  掩埋氧化层   多波束天线通道幅相一致性校正及实现 期刊论文  OAI收割 微计算机信息, 2007, 期号: 20 朱丽; 龚文斌; 杨根庆 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/06 绝缘体上的硅  氮化镓  金属有机物化学气相外延  降低应力   SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2006 狄增峰   收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2012/03/06 SiGe  绝缘体上的硅(SOI)  绝缘体上的锗硅(SGOI)  应变硅  高K栅介质  等离子浸没式离子注入  自加热效应