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III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
季祥海
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浏览/下载:134/0
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提交时间:2018/06/04
Iii-v族半导体纳米线
异质结纳米线
自催化生长机制
金属有机化学气相沉积
背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:
韩五月
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/09/23
光电探测器
日盲紫外
AlGaN材料
金属有机化学气相沉积
金属-绝缘层-半导体结构
Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
杜文娜
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2016/05/31
InAsSb纳米线
生长机制
平面纳米线
纳米线阵列
金属有机化学气相沉积
MOCVD自催化生长InAs纳米线的研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
王小耶
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浏览/下载:106/0
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提交时间:2015/05/27
InAs
InAs/GaSb
纳米线
MOCVD(金属有机化学气相沉积)
自催化
图形衬底
纳米线阵列
立式环栅
异质结纳米线
MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 03, 页码: 294-298
作者:
缪国庆
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/03/11
自催化法
金属有机化学气相沉积
InP/InGaAs核壳结构
纳米线
衬底温度对非极性ZnO薄膜结晶性能和发光特性的影响
期刊论文
OAI收割
光学学报, 2011, 期号: 10
作者:
徐科
;
王建峰
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2012/09/17
光学材料
ZnO薄膜
非极性半导体
LiGaO2
金属有机化学汽相沉积
利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2011, 期号: 06, 页码: 612-616
作者:
缪国庆
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/03/11
In0.82Ga0.18As
金属有机化学气相淀积
缓冲层
基于量化计算的金属有机化学反应机理研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院, 2009
夏远志
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2015/04/02
量化计算
密度泛函
金属有机化学
反应机理
金催化
有机硼化学
势能面
选择性
环异构化
用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器
期刊论文
OAI收割
中国光学与应用光学, 2008, 期号: Z1
作者:
申德振
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/09/25
MgZnO薄膜
射频磁控溅射
金属有机化学汽相沉积
日盲紫外探测器
MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2008, 期号: 5
作者:
申德振
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/09/25
MgZnO薄膜
太阳盲光电探测器
金属有机化学气相沉积