机构

• 微电子研究所 [3]
• 上海微系统与信息技术... [3]
• 半导体研究所 [3]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 学位论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2018 [2]
• 2014 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [2]
• 2006 [2]
• 2005 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体器件 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 InGaAs单光子雪崩光电二极管研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者:  曹思宇   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/05/28 雪崩光电二极管  理论与仿真分析  电荷层  隧穿效应  单光子雪崩光电二极管   InGaAs单光子雪崩光电二极管研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者:  曹思宇   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/06/04 雪崩光电二极管  理论与仿真分析  电荷层  隧穿效应  单光子雪崩光电二极管   高性能氮化镓基蓝光激光器研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 冯美鑫 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2014/05/30 蓝光激光器  电子阻挡层  正向电压法  结压饱和  隧穿结   石墨烯复合修饰电极的电化学应用 期刊论文  OAI收割 化学传感器, 2010, 期号: 04 陈志华; 葛玉卿; 金庆辉; 柳建设; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06 氧化层退化  F-N隧穿  闪存存储器   电荷俘获存储器中俘获层的研究进展 期刊论文  OAI收割 微纳电子技术, 2009, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 8，518-524,539 作者:  刘璟;  杨仕谦;  王永;  杨潇楠;  陈军宁   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/06/01 高k材料  非挥发性存储器（nvm） 电荷俘获存储器  俘获层  隧穿层   高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 6，414-419 作者:  刘璟;  刘明;  郭婷婷;  杨仕谦;  胡媛   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/06/01 高k介质  非挥发性存储器  隧穿层 俘获层   HfO2/Si(001)界面层的TEM研究 会议论文  OAI收割 2006年全国电子显微学会议, 沈阳, 2006-08-26 卓木金; 马秀良 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/08/21 栅氧化层  氧化硅  高K介质材料  隧穿效应  栅介质层  微电子技术   先进分栅闪存器件集成制造的整合与优化 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2006 陶凯   收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/03/06 分栅闪存  浮栅  隧穿氧化层  ISSG退火  器件尺寸缩小     CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 3，1434-1436 作者:  刘倜;  欧文   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/26 Flash Memory  漏电流  电子势垒 F化隧穿氧化层   级联长周期光栅光谱特性 期刊论文  OAI收割 光学学报, 2005, 期号: 08 崔丽萍; 吴亚明 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/01/06 现场蒸汽生成退火  低压化学汽相淀积  隧穿氧化层