机构

• 微电子研究所 [2]
• 上海微系统与信息技术... [2]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [2]
• 2006 [1]
• 2002 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究 期刊论文  OAI收割 传感器与微系统, 2010, 期号: 10 张圣; 焦继伟; 葛道晗; 顾佳晔; 严培力; 张颖 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2012/01/06 高K栅介质  HfO_2  Hf基高K栅介质材料  MOSFET器件   先栅工艺中高K／双金属栅集成研究新进展 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 6, 页码: 6，829-834 作者:  李永亮;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/06/01 高k材料  金属栅  费米能级钉扎效应 盖帽层  离子注入  功函数   电荷俘获存储器中俘获层的研究进展 期刊论文  OAI收割 微纳电子技术, 2009, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 8，518-524,539 作者:  刘璟;  杨仕谦;  王永;  杨潇楠;  陈军宁   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/06/01 高k材料  非挥发性存储器（nvm） 电荷俘获存储器  俘获层  隧穿层   HfO2/Si(001)界面层的TEM研究 会议论文  OAI收割 2006年全国电子显微学会议, 沈阳, 2006-08-26 卓木金; 马秀良 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/08/21 栅氧化层  氧化硅  高K介质材料  隧穿效应  栅介质层  微电子技术   新型高k栅介质材料研究进展 期刊论文  OAI收割 功能材料, 2002, 期号: 04 章宁琳; 宋志棠; 万青; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 MOSFET  高k材料  栅介质