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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Structural and microstructural analyses of crystalline Er(2)O(3) high-k films grown on Si (001) by laser molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 Acta Materialia, 2011, 卷号: 59, 期号: 4, 页码: 1644-1650 X. Wang; Y. L. Zhu; M. He; H. B. Lu; X. L. Ma 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/13 Thin films  High-resolution electron microscopy  Energy-filtered  transmission microscopy  Interface  Dielectrics  thin-films  electrical-properties  oxide-films  silicon  si(001)  dielectrics  interface   Structural and microstructural analyses of crystalline Er2O3 high-k films grown on Si (001) by laser molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 ACTA MATERIALIA, 2011, 卷号: 59, 期号: 4, 页码: 1644 Wang, X; Zhu, YL; He, M; Lu, HB; Ma, XL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/24 THIN-FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXIDE-FILMS  SILICON  SI(001)  DIELECTRICS  INTERFACE   The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Hu WX; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：84/3  |  提交时间：2011/07/05 Semiconductors  Raman scattering  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN FREQUENCIES  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1  SILICON  SCATTERING  GROWTH   Curie temperatures of cubic (Ga, Mn)N diluted magnetic semiconductors from the RKKY spin model 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2009, 卷号: 21, 期号: 44 Zhu, LF; Liu, BG 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  T-C  ROOM-TEMPERATURE  GALLIUM NITRIDE  001 SILICON  THIN-FILMS  FERROMAGNETISM  GAN  (GA  GROWTH  MN)AS   First-principles calculations of structure and high pressure phase transition in gallium nitride 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 3772-3776 L. N. Tan; C. E. Hu; B. R. Yu; X. R. Chen 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/04/13 transition phase  generalized gradient approximation  GaN  generalized gradient approximation  density-functional calculations  iii-v nitrides  thermodynamic properties  elastic-constants  epitaxial-growth  001 silicon  gan  inn  simulation   Atomic and electronic structures of rubidium adsorption on Si(001)(2 x 1) surface: Comparison with Cs/Si(001) surface 期刊论文  OAI收割 Chemical Physics, 2006, 卷号: 323, 期号: 2-3, 页码: 383-390 H. Y. Xiao; X. T. Zu; Y. F. Zhang; F. Gao 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2012/04/14 first-principles calculations  rubidium  adsorption  silicon  adsorbed si(100) surfaces  angle-resolved photoemission  potassium  double-layer  x-ray-diffraction  photoelectron-spectroscopy  2x1-k  surface  cs  si(001)-(2x1)  overlayer  cesium   Time evolution of the microstructures of LaAlO3 thin films grown on Si substrates 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2006, 卷号: 84, 期号: 3, 页码: 341 Li, XL; Xiang, WF; Jing, HY; Lu, HB; Mai, ZH 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/23 GATE DIELECTRICS  STABILITY  SILICON  SI(001)  DEPOSITION  LAYERS   Residual strain around a step edge of artificial Al/Si(111)-7x7 nanocluster 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 20 Liu, ZW; Xie, HM; Fang, DN; Dai, FL; Xue, QK; Liu, H; Jia, JF 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/24 SURFACES  DISPLACEMENT  SI(111)-7X7  MICROSCOPY  ENERGIES  SILICON  SI(001)  ARRAYS   Microstructure and electrical properties of Al2O3-ZrO2 composite films for gate dielectric applications 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2005, 卷号: 476, 期号: 2, 页码: 312-316 Zhu, M; Chen, P; Fu, RKY; Liu, WL; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  THERMAL-STABILITY  ZRO2 FILMS  SILICON  LAYERS  MECHANISM  SI(100)  SI(001)  SI   Ultra-high-density Ge quantum dots on insulator prepared by high-vacuum electron-beam evaporation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 23 Wan, Q; Wang, TH; Liu, WL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/23 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICON NANOCRYSTALS  SI NANOCRYSTALS  MATRIX  PHOTOLUMINESCENCE  SIO2-FILMS  GROWTH  LUMINESCENCE  FABRICATION  SI(001)