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发表日期

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浏览/检索结果: 共44条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Growth Simulations of Self-Assembled Nanowires on Stepped Substrates 期刊论文  OAI收割 ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 960-965 Liang S; Kong DH; Zhu HL; Wang W 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/02/06 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM DOTS  SURFACE MIGRATION  FABRICATION  GAAS(100)  ISLANDS  WIRES   Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501 作者:  Zhou GY;  Zhang HY;  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：81/4  |  提交时间：2011/07/05 INAS ISLANDS  MU-M  ESCAPE  GAAS  GAAS(100)  SUBSTRATE   Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886 Zhao J (Zhao Jie); Zeng YP (Zeng Yiping); Liu C (Liu Chao); Cui LJ (Cui Lijie); Li YB (Li Yanbo) 收藏  |  浏览/下载：169/17  |  提交时间：2010/07/05 ZnTe  Molecular beam epitaxy  Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE ZNTE  MBE GROWTH  100 GAAS  ZNSE  LAYERS  SURFACE  TEMPERATURE  SUBSTRATE  EPILAYERS   First-principles studies of the atomic reconstructions of CdSe (001) and (111) surfaces 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics-Condensed Matter, 2009, 卷号: 21, 期号: 9 L. Zhu; K. L. Yao; Z. L. Liu; Y. B. Li 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/13 ab-initio calculations  ii-vi-compounds  electronic-structure  wurtzite  cdse  gaas(100) surfaces  cleavage faces  thin-film  nanocrystals  cdte  dependence   Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101 作者:  Xu YQ;  Tang B 收藏  |  浏览/下载：229/40  |  提交时间：2010/03/08 SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  HETEROSTRUCTURES  TEMPERATURE  DETECTORS  GAAS(100)  FILMS  INAS  INSB   Shape stability of InAs self-assembled islands on vicinal GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 chemical physics letters, 2009, 卷号: 468, 期号: 4-6, 页码: 249-252 作者:  Liang S 收藏  |  浏览/下载：132/25  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-DOTS  TRANSITION  GAAS(100)  GROWTH  GAAS   Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107 Wang, BR; Sun, BQ; Ji, Y; Dou, XM; Xu, ZY; Wang, ZM; Salamo, GJ 收藏  |  浏览/下载：111/2  |  提交时间：2010/03/08 LOCALIZED STATES  ISLANDS  WIRES  SUPERLATTICES  ORGANIZATION  GAAS(100)  EXCITONS  GROWTH  DECAY  GAAS   Mechanism of low energy S+ ion bombarded p-GaAs (100) 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 25-26, 页码: 3084-3087 Zhao, Q.; Zhai, G. J.; Kwok, R. W. M. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/04/30 GaAs (100) surfaces  semiconductors  sulfur passivation  ion  implantation  sulfide passivation  gaas  surfaces  sulfur  performance   Structural and electrical analysis of S+ ion bombarded p-InP(100) 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2006, 卷号: 253, 期号: 3, 页码: 1356-1364 Zhao, Q.; Zhai, G. J.; Kwok, R. W. M. 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2014/04/30 InP  ion beam bombardment  sulfur passivation  XPS  LEED  passivated inp(100)-(1x1) surface  ray photoelectron-spectroscopy  (nh4)2sx-treated gaas 100  p3n5 gate insulators  sulfide passivation  sulfur passivation  electronic states  sinx/inp interface  ab-initio  inp   Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108 作者:  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ENERGY-GAP  100 GAAS  INASSB  INAS1-XSBX  ALLOYS  INSB  TRANSPORT  LAYERS