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浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Polarity Control within One Monolayer at ZnO/GaN Heterointerface: (0001) Plane Inversion Domain Boundary 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 43, 页码: 37651-37660 作者:  Li, Siqian;  Lei, Huaping;  Wang, Yi;  Ullah, Md Barkat;  Chen, Jun   |  收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2019/01/11 ZnO/GaN heterointerface  (0001) plane IDBs  polarity control  energetic stability  2DHG  2DEG   GaN HEMT 基础问题研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 何晓光 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2016/06/02 GaN  HEMT  2DEG  MOCVD  高阻   High-mobility two-dimensional electron gases at oxide interfaces: Origin and opportunities 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 11 Chen, YZ; Pryds, N; Sun, JR; Shen, BG; Linderoth, S 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2014/01/16 oxide interfaces  two-dimensional electron gas (2DEG)  SrTiO3  oxygen vacancies   Model-Based Prediction of the Plasma Oscillation Excitation Response Characteristics of a High-Electron Mobility Transistor-Based Terahertz Photomixer with the Cap Region 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF COMPUTATIONAL AND THEORETICAL NANOSCIENCE, 2012, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 549-554 Chen, Y; He, J; Liang, HL; Ma, Y; Chen, Q; Su, YM; He, HY; Chan, MS; Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/04/22 Terahertz Photomixer  HEMT  Analytical Model  Plasma Excitation  Two Dimensional Gas (2DEG)   A theoretical calculation of the impact of gan cap and alxga1-xn barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in a gan/alxga1-xn/gan heterostructure 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on electron devices, 2011, 卷号: 58, 期号: 12, 页码: 4272-4275 作者:  Liu, Guipeng;  Wu, Ju;  Lu, Yanwu;  Zhang, Biao;  Li, Chengming 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Cap-thickness-fluctuation (ctf) and barrierthickness fluctuation (btf) scattering  Interface roughness scattering  Two dimensional electron gas (2deg)   Study on microwave cyclotron resonance of high-mobility gaas/al-0.35 ga-0.65 as two-dimensional electron gas 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2010, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 87-+ 作者:  Yang Wei;  Luo Hai-Hui;  Qian Xuan;  Ji Yang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Microwave  Reflectance  Two-dimensional electron gas(2deg)  Cyclotron resonance   STUDY ON MICROWAVE CYCLOTRON RESONANCE OF HIGH-MOBILITY GaAs/Al-0.35 Ga-0.65 As TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 2010, 卷号: 29, 29, 期号: 2, 页码: 87-, 87- 作者:  Yang W (Yang Wei);  Luo HH (Luo Hai-Hui);  Qian X (Qian Xuan);  Ji Y (Ji Yang);  Yang, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyang@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2010/05/24 microwave  Microwave  Reflectance  Two-dimensional Electron Gas(2deg)  Cyclotron Resonance  Quantum-wells  Gaas/algaas Heterostructures  Germanium  Silicon  reflectance  two-dimensional electron gas(2DEG)  cyclotron resonance  QUANTUM-WELLS  GAAS/ALGAAS HETEROSTRUCTURES  GERMANIUM  SILICON   Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal alxga1-xas barrier layer 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381 作者:  Tan, X. T.;  Zheng, H. Z.;  Liu, J.;  Zhu, H.;  Xu, P. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Hemt  2deg   Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381 作者:  Liu J;  Zhu H 收藏  |  浏览/下载：83/2  |  提交时间：2010/03/08 HEMT  2DEG   The influence of 1 nm aln interlayer on properties of the al0.3ga0.7n/aln/gan hemt structure 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 作者:  Guo, Lunchun;  Wang, Xiaoliang;  Wang, Cuimei;  Mao, Hongling;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hemt  2deg  Mobility  Polarization