机构

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• 苏州纳米技术与纳米仿... [8]
• 金属研究所 [1]

采集方式

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内容类型

• 期刊论文 [27]
• 学位论文 [2]

发表日期

• 2015 [1]
• 2013 [2]
• 2012 [5]
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• 2008 [6]
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学科主题

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• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明) 收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2015/12/31 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  standard fluorine ion implantation  normally off   A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 747-749 作者:  Cai, Y(蔡勇);  Zhao, DS(赵德胜);  Qin, H(秦华);  Zhang, BS(张宝顺);  Zeng, CH(曾春红) 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2013/12/30 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  dynamic performance  power device   Dynamic Characterizations of AlGaN/GaN HEMTs With Field Plates Using a Double-Gate Structure 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 217-219 作者:  Zeng, CH(曾春红);  Zhang, BS(张宝顺);  Cai, Y(蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2014/01/13 AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT)  dynamic performance  power device   Threshold voltage’s dependence on channel width in nano-channel array AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi C, 2012, 卷号: 9, 期号: 3-4 作者:  Hua Qin（秦华）;  Yong Cai（蔡勇）;  Wenhua Shi（时文华）;  Yong Cai（蔡勇）;  Baoshun Zhang (张宝顺) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/01/22 AlGaN/GaN HEMT  nano-channel array  E-mode  threshold voltage   无栅AlGaN/GaN HEMT生物传感器的制作及其性能测量 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 薛伟 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/09/11 AlGaN/GaN HEMT 生物传感器 表面修饰 封装 比接触电阻率 探测极限   基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的太赫波探测器件的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者:  孙云飞 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2012/09/11 AlGaN/GaN HEMT 太赫兹探测器 三极子碟形共振天线 二维电   Enhancement-Mode Operation of Nano-Channel Array (NCA) AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 Electron Device Letters, 2012, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 354 - 356 作者:  Yong Cai（蔡勇）;  Wenhua Shi（时文华）;  Baoshun Zhang (张宝顺);  Baoshun Zhang (张宝顺);  Hua Qin（秦华） 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/01/22 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  enhancement-mode (E-mode)  high-frequency  nanochannel array (NCA)   Threshold voltage dependence on channel width in nano-channel array AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 Phys. Status Solidi C, 2012, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 879–882 作者:  Baoshun Zhang（张宝顺）;  Yong Cai（蔡勇）;  Yong Cai（蔡勇）;  Wenhua Shi（时文华）;  Chunhong Zeng（曾春红） 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2013/01/16 AlGaN/GaN HEMT  nano-channel array  E-mode  threshold voltage   An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X. 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemt  Mocvd  Sic substrate  Power device   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/02/02 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device