机构

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• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

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内容类型

• 期刊论文 [14]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [5]
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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 刘雅丽 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2016/06/03 AlGaN/AlGaN 量子阱  GaN/AlN量子点  半导体金刚石  深紫外光致发光  激子-声子作用  激子局域化   Electron mobility in the linear region of an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 6 Yu, YX; Lin, ZJ; Luan, CB; Wang, YT; Chen, H; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2014/01/16 AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors  quasi-two-dimensional model  the polarization Coulomb field scattering  the two-dimensional electron gas mobility   Intersubband absorption properties of high Al content AlxGa1-xN/GaN multiple quantum wells grown with different interlayers by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7, 页码: 1 Sun, HH; Guo, FY; Li, DY; Wang, L; Wang, DB; Zhao, LC 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2013/09/18 MU-M  STRAIN RELAXATION  WAVELENGTH RANGE  GAN/ALGAN  SUPERLATTICES  GAN  TRANSITIONS  DISLOCATIONS  ALN/GAN  MOCVD   Surface roughness scattering in two dimensional electron gas channel 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262111 Liu B; Lu YW; Jin GR; Zhao Y; Wang XL; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：55/5  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MOBILITY ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY  PERFORMANCE  ALN  MODFETS  INN   Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Chen GF (Chen Gui-Feng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wang H (Wang Hui); Wang YT (Wang Yu-Tian); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：140/4  |  提交时间：2010/04/13 GaN  Si (111) substrate  metalorganic chemical vapour deposition  AlN buffer layer  AlGaN interlayer  : VAPOR-PHASE EPITAXY  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  ALXGA1-XN  FILM   The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417 作者:  Zhang SM;  Yang H(杨辉);  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/01/15 INTERSUBBAND ABSORPTION  MU-M  ALGAN  GAN  INTERLAYERS  MOVPE  ALN   An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X. 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemt  Mocvd  Sic substrate  Power device   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/02/02 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：195/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：142/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device