中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

条数/页： 排序方式：
Characteristics of high al content algan grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文  iSwitch采集
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai
收藏  |  浏览/下载：188/0  |  提交时间：2019/05/12
Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文  OAI收割
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai
  |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2021/02/02
Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文  OAI收割
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/02/02
Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文  OAI收割
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:  Jin P
收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/07
Growth and Characteristics of Epitaxial AlxGa1-xN by MOCVD 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 6
Zhang, J; Guo, LW; Chen, Y; Xu, PQ; Ding, GJ; Peng, MZ; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17
Quasi-thermodynamic analysis of MOVPE of AlGaN 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 73-78
Lu DC; Duan S
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12