机构

• 物理研究所 [5]
• 半导体研究所 [5]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [11]

发表日期

• 2006 [1]
• 2004 [1]
• 2002 [1]
• 2001 [3]
• 2000 [3]
• 1998 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [3]
• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Porous InP array-directed assembly of InAs nanostructure 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 26, 页码: art.no.263107 作者:  Li L 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11 BEAM EPITAXIAL-GROWTH  QUANTUM DOTS  RADIATIVE RECOMBINATION  PATTERNED GAAS  SURFACE  STATES  GE   Direct observation of electron-beam-induced nucleation and growth in amorphous GaAs 期刊论文  OAI收割 Materials Science in Semiconductor Processing, 2004, 卷号: 7, 期号: 1-2, 页码: 19-25 Z. C. Li; H. Zhang; Y. B. Xu 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/14 amorphous GaAs  electron beam irradiation  crystallization  electron  microscopy  induced epitaxial regrowth  silicon  crystallization  ge  irradiation  kinetics  si  amorphization  cazrti2o7  damage   Effects of As pressure on optical features of low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 90 Han, YJ; Guo, LW; Bao, CL; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/17 BEAM-EPITAXIAL GAAS  ALGAAS/GAAS  DEFECT  TIME   Properties of deep levels and photorefractive effect in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells grown in low temperature 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 117 Huang, Q; Guo, LW; Zhang, MH; Zhang, YF; Han, YJ; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/24 BEAM-EPITAXIAL GAAS  SPATIAL LIGHT MODULATORS  DEFECT  TRAP  EL2   Annealing-induced evolution of defects in low-temperature-grown GaAs-related materials 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2001, 卷号: 63, 期号: 11 Zhang, MH; Guo, LW; Li, HW; Li, W; Huang, Q; Bao, CL; Zhou, JM; Liu, BL; Xu, ZY; Zhang, YH; Lu, LW 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/17 BEAM-EPITAXIAL GAAS  SPATIAL LIGHT MODULATORS  MULTIPLE-QUANTUM WELLS   Annealing-induced evolution of defects in low-temperature-grown GaAs-related materials 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115324 Zhang MH; Guo LW; Li HW; Li W; Huang Q; Bao CL; Zhou JM; Liu BL; Xu ZY; Zhang YH; Lu LW 收藏  |  浏览/下载：106/7  |  提交时间：2010/08/12 BEAM-EPITAXIAL GAAS  SPATIAL LIGHT MODULATORS  MULTIPLE-QUANTUM WELLS   Observation of EL2 and additional deep levels at low temperature in an AlGaAs/GaAs multiple-quantum-well structure 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 77, 期号: 5, 页码: 702 Zhang, YF; Zhuo, Q; Zhang, MH; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/24 BEAM-EPITAXIAL GAAS  SEMI-INSULATING GAAS  ELECTRON TRAP  UNDOPED GAAS  DEFECT   Investigation of defects in low-temperature-grown GaAs using optical transient spectroscopy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 351 Zhang, YH; Lu, LW; Zhang, MH; Huang, Q; Bao, CL; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/18 BEAM-EPITAXIAL GAAS   Investigation of defects in low-temperature-grown GaAs using optical transient spectroscopy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 351-354 Zhang YH; Lu LW; Zhang MH; Huang Q; Bao CL; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 low-temperature-grown GaAs  optical transient spectroscopy  BEAM-EPITAXIAL GAAS   Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 15, 页码: 1866-1868 Chen YH; Yang Z; Wang ZG; Li RG 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 BEAM-EPITAXIAL GAAS  HOPPING CONDUCTION  200-DEGREES-C  SPECTROSCOPY  DEFECTS