机构

• 半导体研究所 [11]
• 金属研究所 [1]
• 化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]
• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [12]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2012 [2]
• 2006 [4]
• 2005 [2]
• 2000 [2]
• 1999 [3]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [2]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Facile Synthesis of Bimodal Mesoporous Carbon with Thin Pore Walls 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA, 2012, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 1525-1532 作者:  Wang Yu;  Dong Hui;  Geng Liang;  Yu Gang;  Zhu Yue-Xiang   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/04/09 Mesoporous Carbon  Thin Pore Wall  Controllable Synthesis  Bimodal Pore Size Distribution  Phenolic Resin  Electric Double-layer Capacitor   A statistical model for predicting the mechanical properties of nanostructured metals with bimodal grain size distribution 期刊论文  OAI收割 Acta Materialia, 2012, 卷号: 60, 期号: 16, 页码: 5762-5772 L. L. Zhu; S. Q. Shi; K. Lu; J. Lu 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/02/05 Bimodal grain size distribution  Strength  Ductility  Weibull  probability distribution  Percolation model  high-tensile ductility  plastic-deformation  high-strength  nanocrystalline metals  enhanced plasticity  boundary diffusion  al-alloy  copper  behavior  cracks   Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of inas quantum dots grown on vicinal gaas (1-00) substrates by using mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119 作者:  Liang, S;  Zhu, HL;  Pan, JQ;  Wang, W 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-assembled quantum dots  Indium arsenide  Bimodal size distribution  Mocvd   Growth of inas quantum dots on vicinal gaas (100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and their optical properties 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 477-484 作者:  Liang, S;  Zhu, HL;  Pan, JQ;  Ye, XL;  Wang, W 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Bimodal size distribution  Metalorganic vapor phase epitaxy  Self-assembled quantum dots  Indium arsenide   Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/04/11 self-assembled quantum dots  indium arsenide  bimodal size distribution  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MU-M  ISLANDS  DENSITY  EPITAXY  LASER   Growth of InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and their optical properties 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 477-484 作者:  Ye XL;  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/11 bimodal size distribution  metalorganic vapor phase epitaxy  self-assembled quantum dots  indium arsenide  PHASE-EPITAXY  ISLANDS  INGAAS  SIZE  LASER   Comparative study of inas quantum dots grown on different gaas substrates by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 282, 期号: 3-4, 页码: 297-304 作者:  Liang, S;  Zhu, HL 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Bimodal size distribution  Low-diniensional structures  Metalorganic chemical vapor deposition  Self-assembled quantum dots  Indium arsenide   Comparative study of InAs quantum dots grown on different GaAs substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 282, 期号: 3-4, 页码: 297-304 Liang, S; Zhu, HL; Pan, JQ; Hou, LP; Wang, W 收藏  |  浏览/下载：107/22  |  提交时间：2010/03/17 bimodal size distribution   Temperature dependence of the optical properties of inas/gaas self-organized quantum dots with bimodal size distribution 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 630-636 作者:   收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-organized quantum dots  Inas/gaas  Mbe  Pl  Stm  Bimodal size distribution   Temperature dependence of the optical properties of InAs/GaAs self-organized quantum dots with bimodal size distribution 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 630-636 Wang HL; Ning D; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 self-organized quantum dots  InAs/GaAs  MBE  PL  STM  bimodal size distribution  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRONIC-STRUCTURE  CARRIER RELAXATION  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  TRANSITION