机构

• 半导体研究所 [4]
• 力学研究所 [1]
• 物理研究所 [1]
• 南海海洋研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2014 [1]
• 2008 [1]
• 2003 [3]
• 1999 [1]
• 1991 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• Crystallog... [1]
• Materials ... [1]
• Physics [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Large eddy simulation of industrial Czochralski Si crystal growth under transverse magnetic field 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 卷号: 389, 页码: 60-67 Chen, X; Zhan, JM; Li, YS; Cen, XR 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2014/12/11 Computer simulation  Heat transfer  Semiconducting silicon  Magnetic field assisted Czochralski method   Progress In Modeling Of Fluid Flows In Crystal Growth Processes 期刊论文  OAI收割 Progress In Natural Science, 2008, 页码: 1465-1473 作者:  Chen QS(陈启生);  Jiang YN(姜燕妮);  Yan JY(颜君毅);  Qin M(秦明);  Chen QS(陈启生) 收藏  |  浏览/下载：737/52  |  提交时间：2009/08/03 Modeling  Crystal Growth  Fluid Flow  Czochralski Growth  Ammonothermal Growth  Physical Vapor Transport  Transverse Magnetic-Field  Physical-Vapor Transport  Sic-Bulk Growth  Silicon Czochralski Furnace  Thermal-Capillary Analysis  Radiative Heat-Transfer  Sublimation Growth  Numerical-Simulation  Ammonothermal Growth  Oxygen Distribution   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in czochralski silicon single crystal growth 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509 作者:  Zhang, ZC;  Ren, BY;  Chen, YH;  Yang, SY;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/05/12 Czochralski method  Growth from melt  Semiconductor silicon  Argon gas flow  Computer simulation  Oxygen content   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文  OAI收割 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/11/15 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 期刊论文  OAI收割 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Observation of defects in a C3N4/diamond/Si structure by infrared light scattering tomography 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 1999, 卷号: 11, 期号: 20, 页码: L191 Ma, MY; Tsuru, T; Ogawa, T; Mai, ZH; Wang, CY; Guo, JG; Ma, XC; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/24 CZOCHRALSKI SILICON  FILMS  CRYSTALS  DIAMOND  SOLIDS  PHASE  C3N4   ELECTRICAL CHARACTERS OF OXYGEN DEFECTS IN SILICON SUBJECTED TO INTRINSIC GETTERING TREATMENT 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 1, 页码: 511-513 LI JM 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/11/15 CZOCHRALSKI-GROWN SILICON  MICRODEFECTS  DISLOCATIONS  BEHAVIOR  WAFERS