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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Multi-scale indentation model of stiff film-compliant substrate structures 期刊论文  OAI收割 APPLIED MATHEMATICAL MODELLING, 2023, 卷号: 119, 页码: 566-585 作者:  Liu, Yanwei;  Ma HS(马寒松);  Long, Hao;  Wei, Shiyuan;  Zhang, Siyuan   |  收藏  |  浏览/下载：120/0  |  提交时间：2023/06/15 Multi -scale indentation model  Stiff film -compliant substrate structures  Strain gradient theory  Surface elastic model  Size effect   Size effect investigation of indentation response of stifffilm/compliant substrate composite structure 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF SOLIDS AND STRUCTURES, 2020, 卷号: 193, 页码: 106-116 作者:  Liu, YW;  Ma HS(马寒松);  Wei YG(魏悦广);  Chen, P;  Chen P   |  收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2020/06/22 Stifffilm/compliant substrate composite structure  Indentation response  Gradient effect  Integral transformation  Material length scale   The Mexican hat effect on the delamination buckling of a compressed thin film 期刊论文  OAI收割 Acta Mechanica Sinica, 2014, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 927–932 作者:  Zhang Y(张吟);  Liu Y(刘云);  Zhang Y(张吟) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2015/02/09 Buckling  Delamination  Elastic foundation  Thin film  Compliant substrate   Stress-driven buckling patterns in spheroidal core/shell structures 期刊论文  OAI收割 PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA, 2008, 卷号: 105, 期号: 49, 页码: 19132 Yin, J; Cao, ZX; Li, CR; Sheinman, I; Chen, X 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2013/09/24 THIN-FILMS  COMPLIANT SUBSTRATE  CELL-WALL  PLANTS  MICROSTRUCTURES  STABILITY  GROWTH   Strain relaxation mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by Ge condensation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 275-280 Di, ZF; Huang, AP; Chu, PK; Zhang, M; Liu, WL; Song, ZT; Luo, SH; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 MOBILITY ENHANCEMENT  RAMAN-SCATTERING  HIGH-PERFORMANCE  COMPLIANT OXIDE  N-MOSFETS  OXIDATION  SUBSTRATE  STABILITY  ELECTRON  ISLANDS   Fabrication and mechanism of relaxed SiGe-on-insulator by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2005, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1637-1640 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Huang, AP; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  OXIDATION BEHAVIOR  HIGH-PERFORMANCE  COMPLIANT OXIDE  N-MOSFETS  GERMANIUM  SUBSTRATE  ELECTRON  ISLANDS   Fabrication of thick, high-quality strained SiGe layer on ultra-thin silicon-on-insulator and modeling of film strain 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2004, 卷号: 7, 期号: 4-6, 页码: 393-397 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/03/24 COMPLIANT SUBSTRATE  RAMAN-SCATTERING  INFRARED DETECTORS  ALLOYS  TRANSISTORS  MOBILITY  GROWTH  HOLE  ENHANCEMENT  TRANSPORT   In0.25Ga0.75As films growth on the thin GaAs/AlAs buffer layer on the GaAs(001) substrate 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 strain  dislocation  interfaces  molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  COMPLIANT SUBSTRATE  RELAXATION   Strain accommodation of 3C-SiC grown on hydrogen-implanted Si (001) substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/08/12 substrate  heteroepitaxy  low pressure chemical vapor deposition  semiconducting silicon carbide  COMPLIANT SUBSTRATE  CRITICAL THICKNESS  SILICON  RELAXATION  MECHANISM  DEFECTS  LAYERS