中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [3]
自动化研究所 [2]
物理研究所 [1]
长春光学精密机械与物... [1]
采集方式
OAI收割 [6]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2024 [1]
2021 [1]
2018 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2003 [2]
更多
学科主题
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
SynerFill: A Synergistic RGB-D Image Inpainting Network via Fast Fourier Convolutions
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON INTELLIGENT VEHICLES, 2024, 卷号: 9, 期号: 1, 页码: 69-78
作者:
Liu, Kunhua
;
Zhang, Yunqing
;
Xie, Yuting
;
Li, Leixin
;
Wang, Yutong
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2024/07/22
Image edge detection
Feature extraction
Point cloud compression
Generators
Maintenance engineering
Vehicle dynamics
Autonomous vehicles
GAN
generator
discriminator
SCRGB-D dataset
synergistic RGB-D images inpainting
FISS GAN: A Generative Adversarial Network for Foggy Image Semantic Segmentation
期刊论文
OAI收割
IEEE/CAA Journal of Automatica Sinica, 2021, 卷号: 8, 期号: 8, 页码: 1428-1439
作者:
Kunhua Liu
;
Zihao Ye
;
Hongyan Guo
;
Dongpu Cao
;
Long Chen
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2021/06/11
Edge GAN
foggy images
foggy image semantic segmentation GAN
semantic segmentation
The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:
Jiang, K.
;
Sun, X. J.
;
Ben, J. W.
;
Jia, Y. P.
;
Liu, H. N.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/09/17
light-emitting-diodes
screw dislocations
threading dislocations
phase
epitaxy
gan
films
algan
core
edge
generation
Chemistry
Crystallography
Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050
作者:
Zhang SM
收藏
  |  
浏览/下载:91/0
  |  
提交时间:2010/04/11
nitrides
multiple quantum wells
cracks
dislocations
vacancies x-ray diffraction
X-RAY-DIFFRACTION
EDGE DISLOCATIONS
GAN
FILMS
SUPERLATTICES
RELAXATION
STRAIN
Photoluminescence study of gan film grown by ammoniating ga2o3/al2o3 deposited on si(111) substrate
期刊论文
iSwitch采集
Rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 166-168
作者:
Wei, QQ
;
Xue, CS
;
Sun, ZC
;
Cao, WT
;
Zhuang, HZ
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan films
Photoluminescence
Band-edge emission
Radiant combination
Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404
Wang, YG
;
Li, W
;
Han, PD
;
Zhang, Z
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2013/09/23
LIGHT-EMITTING-DIODES
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
THREADING EDGE DISLOCATION
VAPOR-PHASE EPITAXY
N-TYPE GAN
GALLIUM NITRIDE
GROWTH STOICHIOMETRY
SCATTERING
DEFECTS
LUMINESCENCE
Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404-412
作者:
Han PD
收藏
  |  
浏览/下载:214/2
  |  
提交时间:2010/08/12
defects
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
light emitting diodes
LIGHT-EMITTING-DIODES
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
THREADING EDGE DISLOCATION
VAPOR-PHASE EPITAXY
N-TYPE GAN
GALLIUM NITRIDE
GROWTH STOICHIOMETRY
SCATTERING
DEFECTS
LUMINESCENCE