机构

• 新疆理化技术研究所 [15]
• 数学与系统科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [16]

内容类型

• 期刊论文 [14]
• 学位论文 [2]

发表日期

• 2019 [1]
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学科主题

• Physics [4]
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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Comparison of holes trapping and protons transport induced by low dose rate gamma radiation in oxide on different SiGe processes 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 1-5 作者:  Li, P (Li, Pei)[ 1 ];  He, CH (He, ChaoHui)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, HongXia)[ 2,3 ];  Zhang, JX (Zhang, JinXin)[ 4 ];  Li, YH (Li, YongHong)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/01/10 SiGe HBTs  Oxide isolation  ELDRS  EHPs generation  Holes trapping  Protons transportation   A Multi-Time-Step Finite Element Algorithm for 3-D Simulation of Coupled Drift-Diffusion Reaction Process in Total Ionizing Dose Effect 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, 2018, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 183-189 作者:  Xu, Jingjie;  Ma, Zhaocan;  Li, Hongliang   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2018/07/30 Drift-diffusion reaction  ELDRS  finite element method  multi-time-step algorithm  TID   国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2018, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 369-374 作者:  魏昕宇;  陆妩;  李小龙;  王信;  孙静   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2018/06/13 国产pnp型双极晶体管  宽总剂量范围  低剂量率损伤增强效应(Eldrs)  辐射损伤  剂量率   Estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanisms using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1-9 作者:  Li, XL (Li, Xiao-Long);  Lu, W (Lu, Wu);  Wang, X (Wang, Xin);  Yu, X (Yu, Xin);  Guo, Q (Guo, Qi)   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/05/14 Ionizing Radiation Damage  Enhanced Low Dose Rate Sensitivity (Eldrs)  Switched Temperature Irradiation  Gate-controlled Lateral Pnp Transistor (glPnp)   Using temperature-switching approach to evaluate the ELDRS of bipolar devices 期刊论文  OAI收割 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2018, 卷号: 172, 期号: 11-12, 页码: 824-834 作者:  Li, XL (Li, Xiaolong);  Lu, W (Lu, Wu);  Wang, X (Wang, Xin);  Guo, Q (Guo, Qi)   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2018/07/24 Bipolar Technology  Co-60 Gamma Irradiation  Enhanced Low-dose Rate Sensitivity (Eldrs)  Temperature-switching Approach (Tsa)   Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111 作者:  Zhang, JX (Zhang, Jin-xin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hong-xia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chao-hui)   |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2018/06/20 Eldrs  Sige Hbt  Gamma Irradiation  Bias Conditions   基于国产双多晶自对准工艺的双极晶体管辐射效应研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者:  贾金成   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/09/26 双多晶自动准  双极晶体管  60co-γ辐射  基极  发射极尺寸  辐射损伤  Eldrs   An Investigation of ELDRS in Different SiGe Processes 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 期号: 5, 页码: 1137-1141 作者:  Li, P (Li, Pei);  He, CH (He, Chaohui);  Guo, HX (Guo, Hongxia);  Guo, Q (Guo, Qi);  Zhang, JX (Zhang, Jinxin) 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2017/06/20 Different silicon-germanium (SiGe) process  emitter-base (EB)-spacer geometry  enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS)  isolation structure   Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rates 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS C, 2016, 卷号: 40, 期号: 3 作者:  Liu, MH (Liu, Mo-Han);  Lu, W (Lu, Wu);  Ma, WY (Ma, Wu-Ying);  Wang, X (Wang, Xin);  Guo, Q (Guo, Qi) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2016/12/12 SiGe HBTs  TID  ELDRS  annealing   Effects of orientation of substrate on the enhanced low-dose-rate sensitivity (ELDRS) in NPN transistors 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS C, 2011, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 169-173 作者:  Lu Wu;  Zheng Yu-Zhan;  Wang Yi-Yuan;  Ren Di-Yuan;  Guo Qi 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/11/29 NPN bipolar junction transistors  (60)Co-gamma irradiation  ELDRS  orientation of substrate