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发表日期

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Growth, Raman Scattering Investigation and Photodetector Properties of 2D SnP 期刊论文  OAI收割 SMALL, 2022, 页码: 9 作者:  Ding, Chuyun;  Yao, Yuyu;  Zhu, Leilei;  Shang, Honghui;  Xu, Peng   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2022/12/07 2D layered materials  chemical vapor deposition  field-effect transistors (FETs)  Raman scattering  SnP nanosheets   Nanotechnology: new opportunities for the development of patch-clamps 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF NANOBIOTECHNOLOGY, 2021, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: - 作者:  Gao, Jia;  Liao, Chunyang;  Liu, Sijin;  Xia, Tian;  Jiang, Guibin   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/12/22 Electrophysiology  Intracellular recording  Nanoelectrode  Field-effect transistors (FETs)  Neuronal activity   Reliable Nonvolatile Memory Black Phosphorus Ferroelectric Field-Effect Transistors with van der Waals Buffer 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 45, 页码: 42358-42364 作者:  Yan, Shili;  Huang, Hai;  Xie, Zhijian;  Ye, Guojun;  Li, Xiao-Xi   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/02/02 black phosphorus  P(VDF-TrFE)  nonvolatile ferroelectric memories  field-effect transistors (FETs)  anti-hysteresis   Fabrication of SWCNT-Graphene Field-Effect Transistors 期刊论文  OAI收割 MICROMACHINES, 2015, 卷号: 6, 期号: 9, 页码: 1317-1330 作者:  Xie SX(解双喜);  Jiao ND(焦念东);  Tung, Steve;  Liu LQ(刘连庆) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2015/11/18 graphene  SWCNT  all-carbon  FETs  dielectrophoresis  AFM  interdigitated electrodes   Enhanced Sensing of Nucleic Acids with Silicon Nanowire Field Effect Transistor Biosensors 期刊论文  OAI收割 NANO LETTERS, 2012, 卷号: 12, 期号: 10, 页码: 5262-5268 Gao, AR; Lu, N; Wang, YC; Dai, PF; Li, T; Gao, XL; Wang, YL; Fan, CH 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2013/04/23 SiNW-FETs  biosensor  ultrasensitive  detection limit   The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216 作者:  Bi Y;  Lin DF;  Peng EC 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2011/09/14 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  HETEROJUNCTION FETS  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  CONFINEMENT  PERFORMANCE  BARRIERS   Organic single crystals or crystalline micro/nanostructures: Preparation and field-effect transistor applications 期刊论文  OAI收割 SCIENCE CHINA-CHEMISTRY, 2010, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 1225-1234 作者:  Fu XiaoLong;  Wang ChengLiang;  Li RongJin;  Dong HuanLi;  Hu WenPing   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/04/09 Organic Single Crystal  Physical Vapor Transport (Pvt)  Solution-processed Technique  Field-effect Transistors (Fets)  Micro/nanostructures   Low-Voltage Organic Field-Effect Transistor With PMMA/ZrO2 Bilayer Dielectric 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Shang, LW;  Tu, DY;  Liu, G;  Liu, XH;  Ji, ZY   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 Thin-film Transistors  Copper Phthalocyanine  High-mobility  Gate Insulators  Substrate  Fets   Analysis and Optimum Design of Impedance Matching for Ka-Band Cryogenic Low Noise Amplifiers 期刊论文  OAI收割 APMC: 2009 ASIA PACIFIC MICROWAVE CONFERENCE, VOLS 1-5, 2009, 页码: 1593-1596 Hou, Y; Wen, RM; Li, LY; Cui, HR; Qian, R; Sun, XW 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2011/11/03 TEMPERATURE-DEPENDENCE  FREQUENCY  FETS   Improved analytical model for threshold behavior of sidegating effect in GaAs metal-semiconductor field-effect transistors induced by impact ionization of deep traps 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1999, 卷号: 85, 期号: 1, 页码: 604-607 Zhao, FC; Xia, GQ; Du, LX; Tan, HZ 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/25 SEMI-INSULATING GAAS  MECHANISM  INJECTION  MESFETS  FETS