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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electrical and optical performances of InGaAs/GaAsSb superlattice short-wavelength infrared detectors 期刊论文  OAI收割 OPTICAL ENGINEERING, 2017, 卷号: 56, 期号: 5 作者:  Jin C;  Chen JX;  Xu QQ;  Yu CZ;  He L   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/11/20 short-wavelength infrared  type II InGaAs/GaAsSb superlattice  quantum efficiency  absorption region thickness   LPE growth and optical characteristics of GaAs1-xSbx epilayer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 463, 页码: 123-127 作者:  Wang Y;  Hu SH;  Zhou W;  Sun Y;  Zhang B   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/11/20 QUANTUM-WELLS  GAASSB  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  WAVELENGTH  DEPENDENCE  LAYERS   High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 5 作者:  Xu ZC;  Chen JX;  Wang FF;  Zhou Y;  He L   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/11/20 InAs/GaAsSb superlattices  InAs substrates  strain balance  quantum efficiency  detectivity   Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Jin, Z;  Liu, XY;  Wu, Dx;  Zhou, L;  Chang, HD   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/26 Inp/gaassb/inp Dhbts  Graded-base  Ghz  Bvceo   InP基含锑基区DHBT的材料生长与器件研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 孙浩 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/03/06 双异质结双极晶体管（DHBT）  　气态源分子束外延（GSMBE）  　InP  　GaAsSb　   无线传感器网络中基于协作的包转发研究 期刊论文  OAI收割 信息与控制, 2007, 期号: 05 戴沁芸; 徐景; 阎毓杰 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/01/06 异质结双极晶体管  InP  GaAsSb  碳掺杂  气态源分子束外延   Structural and optical properties of gaassb/gaas heterostructure quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341 作者:  Jiang, DS;  Bian, LF;  Liang, XG;  Chang, K;  Sun, BQ 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Quantum wells  Gaassb/gaas   Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文  OAI收割 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 作者:  Zhang YH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  quantum wells  GaAsSb/GaAs  GAAS  LASERS  GAIN   Study of optical properties in gaas1-xsbx/gaas single quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765 作者:  Luo, XD;  Bian, LF;  Xu, ZY;  Luo, HL;  Wang, YQ 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gaassb/gaas  Selectively-excited  Type ii transition   Study of optical properties in GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765 Luo XD; Bian LF; Xu ZY; Luo HL; Wang YQ; Wang JN; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：103/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAsSb/GaAs  selectively-excited  type II transition  ROOM-TEMPERATURE  GAAS  DOTS  OPERATION