机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2006 [1]
• 2003 [2]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体物理 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文  OAI收割 conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006 Sun, Z (Sun, Z.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：204/36  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs quantum wells  optical properties  nonradiative recombination effect  time-resolved photoluminescence  PL decay dynamics  PL thermal quenching  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  EXCITATION   Theoretical analysis of characteristics of GaxIn1-xNyAs1-y/GaAs quantum well lasers with different intermediate layers 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 1261-1263 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 GAINNAS  LUMINESCENCE  DIODES  ALLOYS   Effect of different type intermediate layers on band structure and gain of Ga1-xInxNyAs1-y-GaAs quantum well lasers 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2003, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 1336-1338 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：408/1  |  提交时间：2010/08/12 band structure  differential gain  GaInNAs  optical gain  strain compensated  strain mediated  STRAIN  TEMPERATURE  DIODES  ALLOYS  OFFSET   Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597 Tsang MS; Wang JN; Ge WK; Li GH; Fang ZL; Chen Y; Han HX; Li LH; Pan Z 收藏  |  浏览/下载：111/11  |  提交时间：2010/08/12 GAINNAS ALLOYS  BAND-STRUCTURE  GAAS  NITROGEN  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  BEHAVIOR  MASS