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Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices
期刊论文
OAI收割
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:
Xie, X. H.
;
Li, B. H.
;
Zhang, Z. Z.
;
Shen, D. Z.
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提交时间:2019/09/17
zinc oxide
p-type
self-compens-tion
doping
molecular-beam epitaxy
thin-films
room-temperature
mgzno films
diodes
nanoparticles
modulation
gan(0001)
inversion
epilayers
Physics
Pyramidal dislocation induced strain relaxation in hexagonal structured InGaN/AlGaN/GaN multilayer
期刊论文
OAI收割
Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 8
P. F. Yan
;
K. Du
;
M. L. Sui
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2013/02/05
quantum-well structures
light-emitting-diodes
deformation mechanisms
metallic multilayers
thin-films
misfit dislocations
ingan epilayers
composites
interfaces
gan
High-efficiency InGaN-based LEDs grown on patterned sapphire substrates
期刊论文
OAI收割
OPTICS EXPRESS, 2011, 卷号: 19, 期号: 14, 页码: A949-A955
作者:
Kong, JJ (孔俊杰)
;
Wang, HB (王怀兵)
;
Yang, H (杨辉)
;
Liu, JP (刘建平)
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/08/24
LIGHT-EMITTING-DIODES
EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GAN
ENHANCEMENT
PERFORMANCE
EPILAYERS
SURFACE
Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104
作者:
Deng QW
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浏览/下载:59/5
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提交时间:2011/07/05
QUANTUM-WELL-STRUCTURE
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE
YELLOW LUMINESCENCE
DEEP LEVELS
TRAP
PERFORMANCE
FREQUENCY
EPILAYERS
ORIGIN
DIODES
Thick GaN grown on a nanoporous GaN template by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2008, 卷号: 11, 期号: 10, 页码: H273-H275
Wang, XZ
;
Yu, GH
;
Lin, CT
;
Cao, MX
;
Gong, H
;
Qi, M
;
Li, AZ
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
HIGH-QUALITY GAN
PLANE SAPPHIRE
POROUS GAN
FILMS
NANOHETEROEPITAXY
FABRICATION
EPILAYERS
LAYERS
SI
Structural and optical properties of violet InGaN/AlInGaN light-emitting diodes grown by MOCVD
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 295, 期号: 1, 页码: 40370
Liu JP (Liu J. P.)
;
Shen GD (Shen G. D.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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提交时间:2010/04/11
metal organic chemical vapor deposition
violet light-emitting diodes
AlInGaN quaternary alloy
QUATERNARY ALINGAN EPILAYERS
EMISSION
GAN
Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates
期刊论文
OAI收割
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254
作者:
Wei HY
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2010/04/11
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
EPILAYERS
LUMINESCENCE
ALINGAN
PHONON
LAYERS
FILMS
ALN
GAN
Nanopipes in undoped AlGaN epilayers
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 229, 期号: 1, 页码: 58
Kang, JY
;
Tsunekawa, S
;
Shen, B
;
Mai, ZH
;
Wang, CY
;
Tsuru, T
;
Kasuya, A
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提交时间:2013/09/24
GAN EPILAYERS
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