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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4 作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/09/17 zinc oxide  p-type  self-compens-tion  doping  molecular-beam epitaxy  thin-films  room-temperature  mgzno films  diodes  nanoparticles  modulation  gan(0001)  inversion  epilayers  Physics   Pyramidal dislocation induced strain relaxation in hexagonal structured InGaN/AlGaN/GaN multilayer 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 8 P. F. Yan; K. Du; M. L. Sui 收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2013/02/05 quantum-well structures  light-emitting-diodes  deformation mechanisms  metallic multilayers  thin-films  misfit dislocations  ingan epilayers  composites  interfaces  gan   High-efficiency InGaN-based LEDs grown on patterned sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 OPTICS EXPRESS, 2011, 卷号: 19, 期号: 14, 页码: A949-A955 作者:  Kong, JJ (孔俊杰);  Wang, HB (王怀兵);  Yang, H (杨辉);  Liu, JP (刘建平) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/08/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GAN  ENHANCEMENT  PERFORMANCE  EPILAYERS  SURFACE   Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104 作者:  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：59/5  |  提交时间：2011/07/05 QUANTUM-WELL-STRUCTURE  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE  YELLOW LUMINESCENCE  DEEP LEVELS  TRAP  PERFORMANCE  FREQUENCY  EPILAYERS  ORIGIN  DIODES   Thick GaN grown on a nanoporous GaN template by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2008, 卷号: 11, 期号: 10, 页码: H273-H275 Wang, XZ; Yu, GH; Lin, CT; Cao, MX; Gong, H; Qi, M; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 HIGH-QUALITY GAN  PLANE SAPPHIRE  POROUS GAN  FILMS  NANOHETEROEPITAXY  FABRICATION  EPILAYERS  LAYERS  SI   Structural and optical properties of violet InGaN/AlInGaN light-emitting diodes grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 295, 期号: 1, 页码: 40370 Liu JP (Liu J. P.); Shen GD (Shen G. D.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhang SM (Zhang S. M.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/04/11 metal organic chemical vapor deposition  violet light-emitting diodes  AlInGaN quaternary alloy  QUATERNARY ALINGAN EPILAYERS  EMISSION  GAN   Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254 作者:  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2010/04/11 OPTICAL-PROPERTIES  RAMAN-SCATTERING  EPILAYERS  LUMINESCENCE  ALINGAN  PHONON  LAYERS  FILMS  ALN  GAN   Nanopipes in undoped AlGaN epilayers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 229, 期号: 1, 页码: 58 Kang, JY; Tsunekawa, S; Shen, B; Mai, ZH; Wang, CY; Tsuru, T; Kasuya, A 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/24 GAN EPILAYERS  DISLOCATIONS  FILMS  MECHANISM  GROWTH