中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
物理研究所 [8]
半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [14]
内容类型
期刊论文 [14]
发表日期
2011 [4]
2009 [1]
2008 [2]
2006 [1]
2004 [1]
2002 [1]
更多
学科主题
光电子学 [3]
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共14条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
STM study of a rubrene monolayer on Bi(001): Structural modulations
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 2011, 卷号: 83, 期号: 23
Wang, JZ
;
Lan, M
;
Shao, TN
;
Li, GQ
;
Zhang, Y
;
Huang, CZ
;
Xiong, ZH
;
Ma, XC
;
Jia, JF
;
Xue, QK
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2013/09/24
MOLECULAR-BEAM DEPOSITION
SELF-ORGANIZATION
GROWTH MODES
THIN-FILMS
STRAIN
EPITAXY
XE/PT(111)
SI(001)
GE
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:87/4
  |  
提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys
期刊论文
OAI收割
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Hu WX
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:81/3
  |  
提交时间:2011/07/05
Semiconductors
Raman scattering
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
RAMAN FREQUENCIES
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
SILICON
SCATTERING
GROWTH
Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101
Su SJ
;
Wang W
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Bai AQ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:68/3
  |  
提交时间:2011/07/05
GeSn
Ge
molecular beam epitaxy
epitaxial growth
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Self-assembled Sn nanoplatelets on Si(111)-2 root 3 x 2 root 3-Sn surfaces
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 期号: 1
Shen, QT
;
Li, WJ
;
Dong, GC
;
Sun, GF
;
Sun, YJ
;
Ma, XC
;
Jia, JF
;
Xue, QK
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2013/09/24
GROWTH
ISLANDS
SI(111)
ARRAYS
NANOSTRUCTURES
SI(001)
GAAS
GE
Theory of Directed Nucleation of Strained Islands on Patterned Substrates
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2008, 卷号: 101, 期号: 21
Hao, H
;
Gao, HJ
;
Feng, L
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2013/09/23
ASSEMBLED GE ISLANDS
SELF-ORGANIZATION
SI(001)
ALIGNMENT
ARRAYS
STEPS
SIZE
DOTS
Structural transformation of Ge dimers on Ge(001) surfaces induced by bias voltage
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2008, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 4580
Qin, ZH
;
Shi, DX
;
Gao, HJ
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2013/09/24
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
SI(001) SURFACE
CLEAN GE(001)
STM
TRANSITIONS
CLUSTERS
SCALE
Processing of an atomically smooth Ge(001) surface on a large scale
期刊论文
OAI收割
NANOTECHNOLOGY, 2006, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 2396
Qin, ZH
;
Shi, DX
;
Ji, W
;
Pan, SJ
;
Gao, HJ
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2013/09/24
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
GE CLUSTERS
DEFECTS
RECONSTRUCTION
SI(100)-2X1
SI(001)
AG
Strain-mediated uniform islands in stacked Ge/Si(001) layers
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2004, 卷号: 43, 期号: 11A, 页码: 7411
Xu, MJ
;
Jeyanthinath, M
;
Wang, XS
;
Jia, JF
;
Xue, QK
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2013/09/24
STRANSKI-KRASTANOV GROWTH
SELF-LIMITING GROWTH
GE ISLANDS
SI(001)
SHAPE
NANOSTRUCTURES
NANOCRYSTALS
ORGANIZATION
Nanofabrication of grid-patterned substrate by holographic lithography
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 141-144
Huang CJ
;
Zhu XP
;
Li C
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Li DZ
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:130/4
  |  
提交时间:2010/08/12
etching
nanostructures
substrates
ASSEMBLED GE ISLANDS
SI(001)
GROWTH
DOTS