机构

• 半导体研究所 [4]
• 物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2011 [1]
• 2002 [1]
• 2001 [2]
• 1998 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145 作者:  Wei TB   |  收藏  |   Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128 Zheng XH; Feng ZH; Wang YT; Zheng WL; Jia QJ; Jiang XM; Yang H; Liang JW 收藏  |   Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974 Han, PD; Wang, ZG; Duan, XF; Zhang, Z 收藏  |   Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976 作者:  Han PD 收藏  |   Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478 Yang, HF; Han, PD; Cheng, LS; Zhang, Z; Duan, SK; Teng, XG 收藏  |   Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483 作者:  Han PD 收藏  |